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器件型号：BQ77915 您好！
可充电的最低电芯电压是多少？
对于 BQ7791501、UV 为2.8V/节、在此电压下 DSG 会关断。 电池组放置一段时间并继续自行放电。 由于 CHG 不再导通、因此无法再在多高的电压下使用预充电电流进行充电？
非常感谢！
尊敬的 Martin：
CHG FET 将保持导通、直到出现关断电压。 但是、如数据表所示、当 VDD 低于12V 时、FET 的驱动电压变为~VDD。
此致、
路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙
您好、Luis：
谢谢你的答复。
若要正确理解它：
如果 VDD 下降到5V (VFETON 也为~5V)并且 N-MOSFET 的 VGS (th)为3V、bq77915将 MOSFET 保持打开状态。
如果 VDD 降至5V (VFETON 也为~5V)且 N-MOSFET 的 VGS (th)为6、8V、bq77915仍在上升、但 MOSFET 会阻断、因为 VFETON 为低电平。
在5S 配置中、电池可以放电到3、25V/5cell = 0、65V/节、并且仍然可以再次充电。
防止使用深度放电电池充电的限制因素是 VGS (th)电压或充电器的欠压保护。
我对吗？
