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[参考译文] BQ40Z80:内置闪存规格

Guru**** 2551110 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z80

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1307592/bq40z80-built-in-flash-specifications

器件型号:BQ40Z80

尊敬的 CIRs 和 Madams:

我们正在考虑 BQ40Z80。

在 SMBus 通信期间、可能从 BQ40Z80返回 NACK。当我使用 TRM 调查了 NACK 的原因时、我发现闪存"忙"。

我知道闪存繁忙的原因是在学习周期内更新参数(QMax、Ra 表等)。

我在 BQ40Z80数据表中确认了闪存特性、但仅列出了"字编程时间"、"批量擦除时间"和"页擦除时间"。

我认为闪存基本上执行行编程、但是您能否告诉 我们行编程(擦除和编程)所需的时间以及行中的字节数?

/* BQ40Z80数据表 URL */

https://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq40z80.pdf?ts = 1703658183430&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252Fja-jp%252FBQ40Z80%253FkeyMatch%253DBQ40Z80%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253DGPN

此致、

毫米

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    您好、MM:

    通常、如果正在执行闪存写入、则应该在两次写入之间等待100ms。 您提到过、监测计将根据 QMax、Ra 和寿命数据执行闪存写入自身、以及其他由命令引发的数据、例如监测计启用。 如果启用了时钟延展、除非从 lfietime 数据开始出现较大的闪存写入、否则监测计仍应响应。

    此致、

    怀亚特·凯勒

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    尊敬的 Wyatt:

    我明白、写入闪存就是根据您的答案进行行写入。

    我认为降低 SMBus 访问的频率是一个好主意。

    此致、

    毫米

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    您好、MM:

    通常、我们建议每秒大约处理70个 SMBus 事务、因为通信在监测计中具有高优先级、因此、如果通信连续而没有寄存器、则会导致其他操作发生延迟。

    此致、

    怀亚特·凯勒