[参考译文] TPS23525：TPS23525内部的预防机制用于防止通流

感谢您的答复。

我还有一个问题。

第3季度
是否可以计算或模拟当 A 和 B 输入的转换率快速时出现的反向电流的最大瞬时值？ 是否有任何方法对比较器/FET 响应进行建模？

问题4
我知道我们在此 ORing 电路中执行的控制如下。
-由于电流的增加, FET 压降电压大于25mV。
- Neg48A/B 电压变得低于 VEE - 25mV
-栅极电压会上升、直至 ORingFET 两端的电压达到25mV。
但是，根据数据表中的原理图，Neg48A/B 电压连接到运算放大器的+输入端，其工作原理如下。
- FET 压降电压由于电流的增加而大于25mV。
- Neg48A/B 电压变得低于 VEE - 25mV。
-栅极电压下降，FET 压降电压上升。
我的理解错了吗？ 或者原理图中是否有遗漏？ 请确认。

反向电流为6mV/MOSFET RDSON。  

首先将栅极电压稳定在25mV、然后当压降增加到超过80mV 时、栅极完全增强。

我们期待您的答复。
谢谢你。

感谢您的答复。
我还有一个问题要问。
快速 Comp 检测何时在 FET 端子上施加反向电压并将 FET 栅极降低至低电平。 其阈值通常为6mV。
我想知道从 FET 上的反向电压超过6mV 到 FET 实际关闭的延迟时间最坏情况变化。
(我用一个样本测量了延迟时间、大约为600ns。)
此信息是估算反向电流在最坏情况下的值所必需的。
提前感谢您提供任何信息。