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[参考译文] LM7481-Q1:设计热插拔控制器和电路

Guru**** 1646690 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7481
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1309826/lm7481-q1-designing-controller-and-circuitry-for-hot-swapping

器件型号:LM7481-Q1
主题中讨论的其他器件:LM7481

大家好、我们计划在可通过带电电压源热插拔的接口上使用 LM7481。 鉴于这种情况、我们需要减轻由输入电容引起的浪涌。

我们想使用与连接到引脚2 (A)、引脚11 (CAP)和引脚10 (VS)的电容串联的100 Ω 电阻器来限制浪涌电流、因为如果没有它们、流入电容器的电流将为几安培。

如以下原理图所示、将一个100欧姆串联电阻(R164)与 CAP 和 VS 引脚相连是否存在问题?
如果我们的阳极连接中有一个100欧姆(R163)、是否会出现问题? (如果我们要修改具有如下所示蓝色连接的电路)我的问题是、引脚 A 和 C 用于提供精确的反向电流保护、因此根据芯片内部设计该级的方式、额外的电阻可能会影响该保护的准确性?

谢谢!

彼得·戴维斯


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    尊敬的 Peter:

    您可以将 C72降至100nF、将 R164降至10欧姆。 VS 到 GND 之间的100nF 应该足以为 IC 内部电源轨提供去耦。

     除非电源有噪声、否则不需要 C36。  如前所述、由于电流通过 R163流入引脚、R163会导致修订版阈值和稳压器阈值发生变化。 因此、除非电源 有噪声、否则您可以考虑短接 R136并移除 C36。  

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    您好 Praveen:

    感谢您的答复、

    由于直流降额、我选择了1uF。 我们的总线电压将为50V、因此电容器的降额使有效电容约为0.2uF。 当您建议100nF 电容器时、您是否在直流降额后假设该值? 我更希望保持100Ohm 以限制浪涌电流。 具有更高的值是否存在任何问题? 根据电荷泵电路、最坏情况下、除了电阻器应能够处理的 Vs 静态电流之外、我们还期望在电容器刷新期间出现3.8mA。 我在假设中遗漏了任何东西吗?

    感谢您的澄清、我们的供应应该相对干净、我将按原样离开进行测试。

    此致、

    彼得  

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    尊敬的 Peter:

    • VS 引脚上的 RC 减慢 VS 引脚上的电压斜升、以达到 VS_PORR、因为在启动期间可能会有额外的延迟。
    • 当运行在低于5V 的低电压、其中静态电流较高时、VS 引脚串联的100 Ω 电阻会出现问题。 如果您的工作电压为50V、则应该不会出现任何问题、但我们建议您在所有工作条件下测试电路。  
    • 只要  电容器的降额小于30%、100nF 去耦就可以使用。 在您的情况下、降额大约为80%。 在这种情况下、您可以考虑使用较高的电容值。