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[参考译文] UCC5350：如果需要额外的自升压电路？

admin
Guru**** 1818760 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6501, UCC5350
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1294209/ucc5350-if-need-extra-self-boost-circut

器件型号：UCC5350
主题中讨论的其他器件：SN6501、

戒律：

客户使用 SI8233BB-D-IS1、他们希望使用 UCC5350M-Q1代替它。 您能否帮助检查 UCC5350M-Q1是否需要额外的自升压电路？ 如果没有、您能否帮助介绍 UCC5350M-Q1的工作方法？ 谢谢。  

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    您好、Haiwen、

    我们的专家因美国感恩节假期而不在办公室。 我们会在休息后回复、也就是2023年11月27日。

    此致！

    普拉蒂克

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    您好、Haiwen、

    很抱歉耽误你的时间。 你说的自我提升是什么意思？ 这是否与自举电源电路一样？ 以下是讨论自举电源设计的应用手册： https://www.ti.com/lit/an/slua887a/slua887a.pdf 。 另一种可能是使用隔离式电源、例如 SN6501等推挽驱动器和小型变压器、后跟一个 LDO。

    UCC5350/90本身是一种隔离式栅极驱动器、因此无需双通道驱动器即可使用。 如果您只是想提升输出电流、可以考虑改用 BJT 图腾柱(使用复合材料/sziklai pnp)。 两个隔离层似乎过多。

    此致、

    肖恩

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    Sean、您好：

    客户想知道高侧 MOSFET 的栅极电压来自电平位移或其他电路吗？  

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    对于上拉网络左侧的 PMOS、因此无需进行电平转换。 栅极接地。 对于左侧的 NMOS、其栅极连接到 Vcc。 一旦 OUTH 达到 Vcc-Vth_n、它将自我关闭。  

    Vcc2仍必须比功率 FET 的 Vs 高12V-18V。 这将改变高侧开关是开启还是关闭、并且它必须浮动到开关节点电压之上。 因此、高侧栅极驱动器需要自举电源或隔离式偏置电源、该电源可在开关节点电压之上浮动。

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    TI__Guru**** 1818760 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    肖恩：

    客户想知道 VCC2侧如何升高电压12-18V、以控制 MOSFE 开/关。 他们想知道电路的内部原理。 您能帮助向客户解释一下吗？ 谢谢。

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    您好、Haiwen、

    电压始终定义为两个节点之间的电势。 让我们确保定义每个电压所参考的值。  

    假设半桥的高压电源为100V、电源接地为0V。 共有两个串联的 NMOS、一个是低侧 NMOS、另一个是高侧 NMOS NMOS。 VSW 是两个功率 FET 之间节点的电压。 假设栅极驱动器的电源为 Vee2 =0V 且 Vcc2 =20V。  

    栅极驱动器将能够顺利驱动低侧栅极。 低侧的 Vs 为0V、VG 可设置为20V。

    但是、栅极驱动器将在驱动高侧栅极时出现问题、因为高侧栅极的 Vs 为 VSW。 如果 VSW 上升到20V、高侧栅极的 Vgs 将为0V。   

    因此、高侧需要不同类型的电源、无论是"自举电源"还是"隔离电源"。

    在这些电源中、Vee2并不一定等于0V。 连接到 VSW。 Vcc2连接到一个通过 Vsw 充电至20V 的电容器。 当 Vsw 上升到20V 时、Vcc2上升到20V+20V=40V。  

    您是否刚刚通过电子邮件向我发送了株洲示意图以供审核？ 在该设计中、SN6505推挽式转换器用于驱动变压器。 初级侧连接到0V、但变压器次级侧的低侧连接到 VSW。 无论 VSW 电压如何、电源将始终能够提供20V Vgs。

    此致、

    肖恩