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[参考译文] TPS23525：TPS23525内部的预防机制用于防止通流

admin
Guru**** 2382290 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23525EVM-815, TPS23525
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1300793/tps23525-the-prevention-mechanism-inside-the-tps23525-works-to-prevent-through-current

器件型号：TPS23525

你好。

我们正在使用评估板 TPS23525EVM-815对 ORing 电路进行实验。

在向 A 输入端施加-40V 恒定电压的情况下、我们已逐渐增大 B 输入端的电压、以查看在开关点是否存在从 A 输入端到 B 输入端或从 B 输入端到 A 输入端的直通电流。  

当 B 输入的电压变化缓慢时，没有电流流经，。

但当快速改变时、似乎瞬态流过电流会瞬间流动

Q1请说明 TPS23525内部的预防机制如何防止流经 A 输入端或从 B 输入端流向 A 输入端的电流。

Q2请解释在快速切换时为什么会出现瞬态馈通电流、以及 Q1中提到的预防机制在这种情况下是如何工作的。

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    TI__Guru**** 2382290 points
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    感谢您联系我们。

    请参阅下面的屏幕截图。 此控制器可确保没有直流反向电流。 因此、当 A 节点和 B 节点之间的电压差缓慢产生时、放大器能够阻止反向电流。 然而、当电压差压摆率快速时、由于放大器不是那么快、将会瞬间产生一些反向电流。 之后、比较器会关闭 FET。

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    TI__Guru**** 2382290 points
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    感谢您的答复。

    我还有一个问题。

    第3季度
    是否可以计算或模拟当 A 和 B 输入的转换率快速时出现的反向电流的最大瞬时值？ 是否有任何方法对比较器/FET 响应进行建模？

    问题4
    我知道我们在此 ORing 电路中执行的控制如下。
    -由于电流的增加, FET 压降电压大于25mV。
    - Neg48A/B 电压变得低于 VEE - 25mV
    -栅极电压会上升、直至 ORingFET 两端的电压达到25mV。
    但是，根据数据表中的原理图，Neg48A/B 电压连接到运算放大器的+输入端，其工作原理如下。
    - FET 压降电压由于电流的增加而大于25mV。
    - Neg48A/B 电压变得低于 VEE - 25mV。
    -栅极电压下降，FET 压降电压上升。
    我的理解错了吗？ 或者原理图中是否有遗漏？ 请确认。

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    TI__Guru**** 2382290 points
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    反向电流为6mV/MOSFET RDSON。  

    首先将栅极电压稳定在25mV、然后当压降增加到超过80mV 时、栅极完全增强。

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    TI__Guru**** 2382290 points
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    我们期待您的答复。
    谢谢你。

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    TI__Guru**** 2382290 points
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    反向电流为6mV/MOSFET RDSON。  

    首先将栅极电压稳定在25mV、然后当压降增加到超过80mV 时、栅极完全增强。

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    TI__Guru**** 2382290 points
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    感谢您的答复。
    我还有一个问题要问。
    快速 Comp 检测何时在 FET 端子上施加反向电压并将 FET 栅极降低至低电平。 其阈值通常为6mV。
    我想知道从 FET 上的反向电压超过6mV 到 FET 实际关闭的延迟时间最坏情况变化。
    (我用一个样本测量了延迟时间、大约为600ns。)
    此信息是估算反向电流在最坏情况下的值所必需的。
    提前感谢您提供任何信息。

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    TI__Guru**** 2382290 points
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    最大值约为800ns。