我想在中设计此器件、发现数据表中存在差异。
在第5页底部的第6.5节中、参数 Voffset 介于-7mV 和7mV 之间。
但是、第9页的图14中显示的图形丝毫不显示电压随温度的变化幅度。
哪个值是正确的? 它可以在温度范围内对电流大小产生很大的影响。
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您好、John:
通常、随温度的偏移变化很小、变化主要是由于器件之间的工艺差异造成的。 第5页中的表可能会引起一些混淆。 不过、在25°C 时其值为0mV (典型值)、由于工艺参数变化、即使在室温下、偏移也可以在-7mV 至7mV 之间变化。
图14显示、典型单元的 Voffset 随温度变化不大。 为了进行所有计算、 最坏情况分析、我们必须调整到-7mV 到7mV。 LM5060设计计算器也采用了相同的方法。
您是否有过流精度目标? 您能否分享您的规格和特性要求?
此致、
勒凯什
Rakesh、感谢您的回复。 我的目标是大约5安培。 它并不一定是精确的。 负载低于该值。 我选择的 MOSFET (IAUT260N10S5N019)的计算在从热到冷(85C 至-40C)之间的电流介于6.9A 和4.9A 之间。 这里使用+/-7mV 范围。 如果我在冷态时使用此图形、偏移看起来大约为0.25mV。 这为我提供了一个10A 左右的断路器跳闸点。 通过查看第5页表格中的规格和图14中的图表、可以看出这是一个很大的跳变。 我需要知道将此器件用于生产时的预期结果。
您好、John:
考虑所有参数变化后、 LM5060无法实现6.9A 和4.9A 窄范围。
我随附设计计算器和 IAUT260N10S5N019 FET 参数。 请检查并告知我。
e2e.ti.com/.../0383.LM5060-Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xlsx
此致、
勒凯什