[参考译文] CSD19536KTT：在线性稳压器应用中使用 CSD19536KTT

Frank、您好！

感谢您关注 TI FET。 CSD19536KTT 是 TI 的最低导通电阻100V FET。 不过、电阻对于 FET 在饱和区域中运行的线性应用而言不是那么重要。 您对线性稳压器的电流要求和最高外壳温度是多少？ 数据表中的 SOA 图是在25°C 的外壳温度下获取的、应根据工作温度升高而降低该值、如下面链接中技术文章所述。 第二个链接是一个博客、该博客解释了 TI 如何测试我们的 FET 的 SOA 和规格。

https://www.ti.com/lit/an/sluaao2/sluaao2.pdf

http://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2015/05/02/understanding-mosfet-data-sheets-part-2-safe-operating-area-soa-graph

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

您好、John：

感谢您的回复。  此应用适用于脉冲负载应用：占空比为30%时为16Apk。  目标外壳温度为100C。 感谢提供 SOA 与温度的链接。

提出这个问题的原因是有关 FET 的类型。  CSD19536不是"实质 FET"、但注释仍是针对开关应用进行了优化的 FET、因此不适用于"DC"线性稳压器应用。  这是我关注的问题。

谢谢、

弗兰克

尊敬的 Frank：

因为我是假期的缘故,所以对延迟的回应表示歉意。 尽管 CSD19536KTT 已针对开关应用进行优化、但仍可用于线性稳压器应用中的导通元件。 对于您的应用、您需要使用数据表图1中的归一化瞬态热阻抗图来估算运行条件下的结温。 有关如何使用此图表的更多信息、请参阅以下链接。 此外、请注意、如果 FET 仍符合 SOA 和估算的 TJ < TJmax、您可以使用成本更低的 FET。 如果您需要有关计算的帮助、请告诉我。

https://www.ti.com/lit/pdf/SLUAAO2

http://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2015/06/29/understanding-mosfet-data-sheets-part-4-mosfet-switching-times

谢谢。

约翰

嘿、John、

感谢您的答复。  我已经针对应用查看了 CSD18/19536KTT 器件的 SOA。 这似乎是一个好的候选人。  

遗憾的是、我们要研究的应用涉及到另一家公司、该公司根据器件的数据表选择了不同的器件、这种器件专门针对"线性应用"。  该器件的 SOA 低于 CSD19536KTT。  另一家公司声称 CSD19536KTT 的结构会导致线性应用中出现局部热点、而他们选择的器件具有不同的 FET 结构。

这就是我先前文本的原因。  我只是想确保其他公司的论点没有任何内容。

谢谢

弗兰克