[参考译文] TPS709：TPS70933 EN 引脚控制

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TPS709

您好！

我已将您的模型上传到 LTSpice 并进行仿真、以了解 EN 引脚配置。

如果小于6.5V、EN 引脚会跟随 IN 电压、并由内部齐纳二极管钳位至6.5V。

我想通过 N 沟道 FET 的外部电压来控制 TPS709的运行、该电压下拉 EN 引脚以禁用稳压器。

我认为它在仿真中运行良好、但希望了解这是否是可接受的控制类型。当使用一些外部电阻器禁用(拉至低电平)时、我需要限制从 EN 引脚到 GND 的电流、还是由300nA 电流源在内部限制？

0 admin 6 个月前

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嘿、Brian、

由于 TPS709的 EN 引脚可以保持悬空、因此数据表中提到了300nA 的内部上拉电流。

为此、M1开关需要满足两个条件：

I.开启 LDO 时、在 M1的关断状态(NMOS)下、您需要确保 M1的泄漏是 EN 的上拉电流(300nA)的~15倍。否则、通过开关 M1的更高泄漏会导致以下情况： EN 引脚电压没有上升到 VIH 阈值且 LDO 无法导通。在更高温度下、内部上拉电流在更高温度下可高达600nA。

二、当通过打开 M1开关拉低 EN 时、M1 FET 的驱动器应高于300nA、以便 EN 有效拉至0。它仅在内部受300nA 电流源限制。

此致、
罗哈特·福加特

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