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[参考译文] LM5116:运行期间的顶部和底部 MOSFET 故障

Guru**** 2756835 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1304297/lm5116-top-and-bottom-mosfet-failure-during-operation

器件型号:LM5116

您好!

我根据 LM5116设计了直流/直流降压转换器设计、该设计采用48V 输入并输出12V/5A。 我订购了 PCB 进行测试、到目前为止、其中一些 PCB 有数百个周期(开启和关闭)、没有问题、有些 PCB 立即出现故障、有些 PCB 经过几百个周期后出现故障。 常见故障模式是顶部和底部 FET 短路。

我无法找到任何关于制造或质量问题的线索。 我认为 FET 的振铃会在运行期间降低其性能、但速率不同呢? 可能会出现击穿情况、  

它向他们施压、直到他们短路? 是否值得在那里放置一个缓冲电路来测试它是否有所改进?

更多信息:

-Vgs 似乎没有超出。

-不超过工作温度

-根据 LM5116的数据表、无栅极电阻器。 但或许计时也会因噪声而中断、从而导致击穿?

-根据所使用的定时电阻器以~250 kHz 的频率运行。  

提前感谢您提供的任何帮助。 我附上了波形、原理图和布局的照片。  

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tyler:

    我认为主要原因是布局。 您可以参阅我们的 EVM 布局、它与您的要求完全相同。  LM5116-12EVAL 评估板| TI.com现在、您可以尝试为 Q1添加5欧姆栅极电阻器、看看是否有任何改进。

    谢谢你。

    Br、

    石屏市