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器件型号：LM5069 我们正在尝试将 LM5069-2软启动 IC 作为电源管理电路板的一部分。 有关设计决策的详细信息、请参阅以下 TI 计算器和随附的电路图。
e2e.ti.com/.../_2800_Main-Power_2900_-LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xlsx
表：根
工作表：MAIN_POWER_STISTORE
在没有上述 dv/dt 电路的情况下组装该电路时、它会在所有设计的负载条件下在稳定状态下以低电容按预期运行。 然而、鉴于该设计标称电容很大(2500uF)、该设计需要 dv/dt 电路。 添加后、我们观察到在极低负载下栅极电压下降、这是我们无法解释的。 有关更多详细信息、请参阅下表：
输入电压：47.91V
| 试用 | 负载电流(A) | VGS (V)(稳态) |
| 1 | 0.3 | 11.5 |
|
2 |
0.4 | 11.4 |
|
3 |
0.5 | 11.4 |
|
4 |
0.6 | 11.2 |
|
5 |
0.7 | 10.8 |
|
6 |
0.8 | 9.2 |
|
7 |
0.9 | 6.4 |
|
8 |
1 | (不稳定) |
我们推测、 由于 MOSFET 的数量和 dv/dt 电路中的损耗、电荷泵无法维持栅极电压。 我们曾尝试将 MOSFET 的数量减少到1、但问题仍然 存在。 我们也不确定为什么该问题是电流/分流电压的函数。
TI 是否对如何处理有任何建议？ 您能否建议对 dv/dt 电路进行任何修改以支持此设计？
