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器件型号：BQ40Z80 连接图中红框所示的反向电路后、测试短路保护没有恢复、如果仍然连接到通信端、通信相关元件会烧坏、原因是什么？
连接图中红框所示的反向电路后、测试短路保护没有恢复、如果仍然连接到通信端、通信相关元件会烧坏、原因是什么？
您好！
反向电路保护不应影响 OCD 事件的恢复。 我们的电路与我们的不同之处在于、我们只能发现传统二极管(D6)在10k 以上、而不是在我们的设计中。 这不会导致您遇到的问题。 
在添加反向电路保护之前、您是否进行了短路测试？
如果短路保护仍然连接到通信，则与通信相关的组件将被烧毁
您是指 SMBus 通信线路中的组件？ 如有可能、请分享整个原理图。 这听起来 FET 在短路测试期间保持开路。
此致、
何塞·库索
是的、在添加反向电路之前测试了短路、可以恢复短路保护。 
这是整个原理图、如果有任何问题、请帮助查看。
您好！
只是为了澄清一下、电路是反向充电器保护电路、而不是短路保护电路。
您添加的电路和我们在 EVM 中的电路没有太大差异。
我确实看到有几件事 可能需要改进。
1-我们建议将低电流路径(IC GND)与高电流路径(BAT-)分开。 我们通常通过添加网络连接或0欧姆电阻器来实现这一点。
请参阅下面的 EVM 示例。 
2、建议在 FET 的每个栅极添加一个10欧姆。 这是为了避免振铃和振荡。 请参阅此 应用手册以获取最佳建议指南。
此外、请参考这一 线程在其中讨论了短路测试期间的常见 FET 故障。 请注意、这是一款不同的器件、但原理相同。
最后、您可能需要在我们的 EVM 中测试短路测试、然后查看是否可以重现该问题。
此致、
何塞·库索
请问最后一句是否意味着 根据 EVM 原理图重新布局、然后测试短路情况。
您已经看到了我的电路原理图、请问我的原理图和 EVM 有什么区别？
我想知道是 将10欧姆电阻应用于所有 FET 栅极还是仅应用 于 FET 栅极的反向电路？
您好！
请看布局。 请查看我的以下评论。
1-建议检测电阻应足够靠近 IC。 远距离会带来噪声并更容易受到 ESD 的影响。 
2-建议将高电流路径(BAT-)与低电流路径(GAUGE IC GND)分开。 请参阅下面的示例
请注意上面的 检测电阻 线路是如何隔离的。 这有助于实现库仑计数器的抗噪性能。
请注意我们如何使用网络连接将 BAT-从 IC_GND 分离、 
转到 检测电阻线路的底层会增加 ESD 和噪声敏感性。
其余的看起来不错。 我看到输入单元 RC 滤波器足够靠近 IC。
此致、
何塞·库索
