请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LM5023 你好。
我叫 Eunseok、
在观察 LM5023的方框图时我有一个问题。
我知道您很忙、但您能回答几个问题吗？
1. 在软启动运行中、内部有两个 n 沟道 MOSFET、但接收 EN 信号作为栅极信号的 MOSFET 不是 P 沟道？
--> 我理解 EN 信号总是高电平，但如果使用 N 通道 MOSFET，SS 引脚的电容不充电。
2. 有一个 N 沟道 MOSFET 作为栅极信号接收 CS 引脚的 LEB 信号。 是 P 沟道 MOSFET 吗？
如果 N 沟道 MOSFET 正确、LEB 信号在 LEB 开始时是否为高电平、然后在 LEB 延迟时间后是否变为低电平？
3. 接收 QR 引脚的消磁比较器输出作为输入的 tRESTART 块的功能是什么？
是简单的延迟角色吗？
我有很多问题、请理解。
此致、
平石市
