Other Parts Discussed in Thread: LM5117, CSD19505KTT, CSD19538Q2, CSD18536KCS
我正在使用 LM5117、但未能向 FET 获取输出信号。
下面是由 LM5117快速计算器电子表格计算的值组成的电路图。
我已经测量了以下电压：UVLO - 2.5V、RT - 1.2V、SW - 5.3V、VCC - 7.4V、RES、0V 和 SS = 0V
以下是示波器屏幕截图 、显示了某些引脚上的行为。
保
引
分辨率
SS
您好 Nasser
请仔细检查蓝色圆圈中的元件值和连接。
100uF 过大。 C18不应填充。
- EL
您好、
我已将 Rfbt 更改为100k Ω 且 Rfbb =2.7k Ω。
SS 引脚现在为4.6V，FB 引脚为 0V。
以下是高侧 FET 的栅极引脚处的波形
大家好！
在输入电压为35V 时、我能够在输出负载下获得30.6V 的电压、并且电流表在输入端读取2mA。 负载后、2.54A 电流下的电压仍然为30.6V、电源的电流表仍然为35V、但表明消耗的电流为2.1A。
这持续了一段时间和一段时间后,高侧 FET 熏。 我更换了 FET、仍然是熏制的。 您能否分享一些建议、说明我需要优化哪些地方来防止出现这种情况、我的目标是在30V 时达到三相电流5A。
在吸烟之前高侧 FET 发生并且没有负载。
在首次吸烟后、我将 FET
您好、NK：
您能否测量 HO 和 LO 单端之间的死区时间以查看是否 存在直接访问的风险？ 此外、当前选择的 LS MOSFET 不合适。 LS MOSFET 产生的反向恢复损耗太大、这部分损耗将落在 HS MOSFET 上。 您可以考虑将 LS MOSFET 替换 为大约20~30m Ω 的 Rdson。 您还可以将肖特基二极管与 LS MOSFET 反向并联、以查看它是否有用。 您可以参考下表检查功率损耗。 谢谢。
奥罗拉
您好 Nasser
请将该二极管与低侧 MOSFET 并联。
- EL
大家好、 EL 和 AT、
感谢您一直以来对我们的反馈和讨论。 我仍然在这个问题上、并将接受您将向我提供的任何额外指导。
首先、我已经完成了一个 PCB、并且其运行效果还不是很好、这就是我们一直使用该线程的原因。
我已经做了 decisoin 实际重做 anothe PCB ,这一次的重点是 comeponet 选择和 PCB 原理图。 在上一版本的 FET 选择方面遇到难题、我选择使用 TI 评估板中使用的实际 FET。
我在这里附上了我的新原理图、供您查看和指导、同时我也在 PCB 上工作、并且还会在我将其发送给制造前立即进行记录。
我 会为你对这个问题的评论感到最谦卑。
谢谢 Eric、我已经为您囊括所有。 我已更新原理图并已使用、我已在低侧选择 CSD18536KCS 并将启动二极管替换为 PMEG60T20ELXDX。
我还没有连接 AGND 与 PGND ,我很好奇,我必须考虑什么,而使这个链接,你的想法。 最后、对于共享的 PCB 布局、包括元件放置以及我如何通过连接到该网底部平面的过孔进行 HS 散热。 将热量散发到 PCB 中是否有风险?
谢谢你。
您好 Nasser
- EL
