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[参考译文] BQ25798:BQ25798 Vbus 和充电电流看起来很奇怪

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25798
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1333339/bq25798-the-bq25798-vbus-and-charge-current-looks-strange

器件型号:BQ25798

BQ25798充电器 IC 充电电流不符合预期。 电池组是3节 LiFePO4电池组。

我将充电电流设置为2.8A、当它显示充电电流仅为1.4A、但 Vbus 电流上升到3A 时。

这个 ADC 误差还是什么问题?

  

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    您好、NaN:

    SYS 上是否有负载?  REG0x1B-0x27中的状态和故障寄存器报告什么?

    此致、

    杰夫

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    尊敬的 Jeff:

    SYS 上有小负载-一个 STM32 MCU 和两个存储器芯片。 我不相信负载会消耗如此多的功率、因为 VBus 是12V 的、

    所以分频得到的功率应该超过10W、如果真的 发生了这种情况、MCU 等芯片可能很热、但不是。

    报告零故障标志:

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    您好、NaN:

    ADC 必须是错误的。  除非在 REG0x14中禁用了 IINDPM 限制、否则 IINDPM 为2850mA、并且您正在测量3060mA、该器件应在 IINDPM 中具有充电器。  但没有 IINDPM 状态。 是否使用仪表测量输入电流?  它真的是3A 吗?

    这是在 EVM 上还是在您自己的板上? 如果您自己的电路板、您是否遵循了建议的布局、尤其是 PMID 和 SYS 0.1uF 电容器?

    此致、

    杰夫

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    我启用了 IIDPM:

    这是我自己的板、PMID 和 SYS 电容器如下所示:

    您认为需要更多0.1uF 电容器吗?

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    尊敬的 Jeff:

    当前的读数上有一个错误、ADC 的值为1mA /位而不是10mA /位、我被位阶跃为10mA 的配置所误导。

    抱歉。  

    我在电路板上测量了 Ibus 电流、它与寄存器中红色的 ADC 值相匹配、因此 ADC 读数和电容器没有问题。

    但这带来了另一个问题、充电电流似乎过低。 充电电流设置为2.8A (REG03->0x118)、我检查了寄存器、没有问题或错误、但 在它处于 CC 充电阶段时充电电流仅大约147mA (Charger_Status_ 1的前3位:011)。  

    充电器应该使用 我  在本例中配置的2.8A "充电电流限制"为电池充电?

      

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    您好、NaN:

    可提供完整的寄存器转储或至少 IINDPM、ICO 和 VREG 寄存器值中的 ILIM?  您是否能够确认我的测量结果、充电电流仅为147mA?  采用12V 和281mA 输入且输出电压仅为10V 的情况下、可用功率将大幅增加。  它转到 SYS 吗?

    此致、

    杰夫

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    是的、我的确使用万用表测量了充电电流和 IBUS 电流、但可以肯定的是、我只是使用万用表再次测量它们、得到了以下数字:

    298mA (ADC=>301)  

    IBAT -> 128mA (ADC->142)

    电荷处于 CC 充电阶段:

    以下是下载到 IC 的所有寄存器值:

    我有 Battery Management Studio 寄存器文件、如果您需要它、我可以将其发送到您的电子邮件、因为此网页不允许附加文件。

    另一个奇怪的情况是、当我从充电器上拔下电池时、它进入了预充电阶段、我认为由于电池未出现、该阶段应该是无充电阶段。 我可以回答吗?

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    您好、NaN:

    当电池被取出时、充电进入涓流充电~= 100mA 进入 BAT。  您是否也可以在 REG0x1B 至0x27中下载状态和故障寄存器?  他们将报告正在发生的情况。

    此致、

    杰夫

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    寄存器 0x1B 至0x27位于我上面发布的前一幅图像上。 Charger_Status_ 0为0x1B、 0x27在 FAULT_FLAG_1上。

    它们都是零

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    更新:

    问题在于/QON 信号。 它需要上拉为高电平以获得 VSYS 输出、但仅通过插入 VBUS (尚未插入电池)、VSYS

    没有输出、那么没有3.3V 电压可以为/QON 引脚提供上拉电源。  

    为使其工作、需要在 VBUS 存在之前插入电池。 这是真的吗?

    另外我把充电电流设为2A、芯片非常热、2分钟就能到达100°C、触发了热调节、所以我把电流降低到500mA、但还是加热到90°C。 这是否正常?

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    您好、NaN:

    /QON 内部上拉。  如果未使用、则保持悬空。  要退出运输模式或强制复位、请拉至低电平。  如果只使用电池或者采用 VBUS 为 VBUS、/QON 由电池供电。

    关于热性能、根据数据表效率曲线、效率是多少?  VBUS 与 VBAT 之间的差异越大、效率就越差。  IC 应能够处理高达3-3.5A 的电流而不出现热问题。  即使过孔进入内部或底层、VBUS、PMID、SYS、BAT 和 GND 引脚也连接到多大的覆铜区/覆铜/厚的布线?  越多越好。  更改为750kHz 和2.2uH 电感器效率将会更高。

    此致、

    杰夫