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[参考译文] UCC24630：同步整流器 MOSFET VDS 过压

admin
Guru**** 1646690 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1329511/ucc24630-synchronious-rectifier-mosfet-vds-overvoltage

器件型号：UCC24630

您好！

我遇到了输出电压约为13V 的100W 100KHz 反激式的问题。 当 MOSFET 闭合时、同步整流器 MOSFET 上的电压 VDS 上升至130V。 我无法转储该峰值。 如何转储?

谢谢！

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    TI__Guru**** 1646690 points
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    您好！

    是否尝试过在 VDS 上添加 RC 缓冲器？

    此致、

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    TI__Guru**** 1646690 points
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    是的、RC 缓冲器会在峰值后出现衰减、但不影响峰值。 我甚至尝试像 RCD 缓冲器那样的东西来转储峰值、但没有成功。

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    TI__Guru**** 1646690 points
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    您好！

    您的波形看起来没有被缓冲。  如果添加 RC 缓冲器、您应该能够通过正确选择缓冲器电阻器来抑制振铃、从而降低振幅。

    R =(L/C)^0.5

    RCD 钳位应该非常有效、只需耗散泄漏能量即可。   

    以下链接会向您显示应用手册、其中有一个部分用于为开关节点设置 RCD 钳位。  您应该也能够在辅助上的 SR 上使用此功能。  有关如何为钳位选择 Rs 和 C 以确保 FET 不会出现过大的电压、这里有很好的参考资料。

    https://www.ti.com/lit/an/sluaac5/sluaac5.pdf

    上述应用手册还在一节中讨论了如何在输出整流器之间设置缓冲器。  您可能会发现这也很有用。

    此致、

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    TI__Guru**** 1646690 points
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    您好！

    我试图将 MOS 更改为另一个具有最大 VDS 150V 的 MOS、然后峰值约为190V。 该图片即使使用 RC 缓冲器、这不会影响峰值。

    漏源电压—橙色线。

    我们将再次尝试 RCD 钳位。

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    TI__Guru**** 1646690 points
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    您好！

    使用 RCD 钳位、您应该能够保护 FET。  请告诉我它是如何产生的。

    此致、

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    TI__Guru**** 1646690 points
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    同步整流器是否有倾卸高峰的材料？

    只有从 MOS 漏极连接到源极的 RCD 钳位才会发生变化。 橙色是漏极电压峰值、蓝色是 RCD 钳位中 C 上的电压、黄色是初级开关漏极。

    您已经编写了这样一篇文章："关于如何为钳位选择 Rs 和 C、以确保 FET 不会出现过大的电压、有了很好的参考文档。" 你能告诉我在哪里可以找到它吗? 我在您发送的应用手册中找不到它。

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    TI__Guru**** 1646690 points
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    您好！

    以下链接将带您进入具有初级故障检测功能的反激式转换器、其中未编写的应用。  本应用手册提供了有关如何在 SR 中设置和 RCD 钳位以及缓冲器的指导。

    https://www.ti.com/lit/pdf/sluaac5

    即使应用手册中没有在初级侧的开关节点上施加应用中的 RCD 钳位也是如此。  在整个 SR 上设置该子系统的过程与此非常类似。  此信息应该可以帮助您在 SR 上设置 RCD 钳位。

    此致、