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[参考译文] CSD19536KTT:10us、100us 和1ms 持续时间内允许的最大体二极管电流

Guru**** 2381440 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1295038/csd19536ktt-max-allowed-body-diode-current-under-10us-100us-1ms-duration

器件型号:CSD19536KTT

我之所以编写此文档、是想看看此器件是否存在任何最大容许体二极管电流。  脉冲持续时间可以是10us、100us、1ms。

谢谢。

沈  

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    你好、Shen、

    感谢您关注 TI FET。 通常、体二极管在导通时的额定电流与 FET 相同。 然而、它受到功率耗散:ISD x VSD 的限制。 这通常大于 FET 导通时的 I² x RDS (on)导通损耗。 下面第一个链接中提供了一个应用简报、其中介绍了如何计算体二极管的连续电流能力。 对于脉冲电流、我们需要使用数据表中图1中的标准化瞬态热阻抗图来计算体二极管电流。 是针对单个脉冲、还是重复的脉冲?如果是、占空比是多少? 此外、请告诉我允许的 PCB (外壳)最高温度、如果您愿意、我可以帮助您进行计算。 第二个和第三个链接说明了 TI 如何规定 FET 的连续和脉冲电流额定值。

    体二极管电流能力

    MOSFET 连续电流额定值

    MOSFET 脉冲电流额定值

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    你好、Shen、

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢。

    约翰

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    尊敬的 Shen:

    由于我尚未收到您的回复、我假设您的问题已得到解决、将关闭此主题。

    谢谢。

    约翰