[参考译文] UCC28711：针对 TIDA-00173的 RCD+Z 钳位设计

您好、IgorR：

感谢您对 UCC28711的查询。

最大输入电压为1200。 考虑到匝数比约为12、24V 反射电压约为288V。 初级侧上的电压为1200+288+泄漏 尖峰。 D20和 D21的钳位电压约为171V、具体取决于流入钳位的峰值电流。  

底部 MOSFET 的额定电压为900V、通过原理图中的 D16和 D15、它实际上被钳位在700V 左右(如果顶部 MOSFET 需要更多裕度、可以对其进行调整)。 因此两个 TVS 二极管基本上钳位到1200V+171*2=1540V (为泄漏尖峰留下一些裕量)。

D19和 D21是超快二极管(其中两个串联以处理额定电压)。

R4和 C33需要 根据观察到的泄漏尖峰振铃进行调整。 通常、我们首先从100-500k 和470pF 到5nf 的电容之间的电阻器开始、并对系统进行调优。

有关缓冲器电路的详细设计、请参阅以下文档。

https://www.omicron-lab.com/fileadmin/assets/Training_and_Events/Power_Analysis_ Presentation_BirichaDigital.pdf

此致、

哈里什

谢谢 Harish。

您能否也解释一下 R24 C37和 D18组件在如下所示的 VFB 信号路径中的用途。

您好、IgorR：

再次感谢您提供此查询。

理想情况下、仅需在辅助绕组和 Vs 引脚之间连接电阻分压器。 如果您的应用具有高电压输入、则有必要保护 VS 引脚并 确保该引脚免受1.2mA 最大电流的影响。

因此、通常我们推荐以下电路来实现此目的。 有关这方面的信息、您可以参考 PMP22288。

回到您关于上述元件要求的问题、根据我在测试此电路板时的有限经验、在不使用电容器的 VS 引脚上出现了一些问题、并将这个1000pF 电容使 Vs 上的波形稳定下来、从而能够进行更好的调节。 就进入该引脚的噪声而言、它可能存在一些布局问题。 如果布局合理、应该不需要这些元件。 您只能使用我在上面添加的原理图片段。

此致、

哈里什