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[参考译文] LM5143:LM5143损坏 MOSFET

Guru**** 2392195 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5143

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1297879/lm5143-the-mosfet-is-damaged-for-lm5143

器件型号:LM5143

您好!

我们将 LM5143用于直流/直流降压电路、本设计存在以下问题:

1.参数:输入48VDC、输出电压14-40V、最大 电流为30A;

2.我们用两个并联的相电路

3.问题如下:

1)设置 电位器时 MOSFET 会损坏,GS 或 DS 击穿,我们添加了 后面的放大器,问题得到解决;

2)但在通电/断电时 MOSFET 也会损坏、当我们通电时、在电压下降到0V 之前、如果输出电压大于30V、GS 或 DS 也会击穿、

高侧 MOSFET 更容易损坏;

请参阅下面的原理图、并提供您推荐的解决方法、谢谢。

e2e.ti.com/.../DC_2D00_DC-POWER3_2D00_1.pdf

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    尊敬的 Zhang:

    LO 电阻器应为0Ω、至少要让 LOL 具有最强的下拉。

    您是否遵循了 EVM 布局建议?

    您能否共享布局的波形?

    -奥兰多

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    您好、奥兰多!

    Pleaes 指的是文件:

    1) 0-20A 动态波形:

    2) 2) 30A 双通道驱动器_V1.1_20231020_ELayer

    e2e.ti.com/.../30A-dual-channel-driver_5F00_V1.1_5F00_20231020_5F00_ELayer.pdf

    3) LM5143 3D PCB 布局

    4) 4)负载效率

    5) 移植图模拟

    6) 6)时序波形:

    ...

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    章、

    实际上您的效率看起来不错。 瞬变可能很好、但我建议测量 物理板的波特图。

    如果 FET 发生故障、我认为这主要与温度有关。

    您是否监测过 MOSFET 温度?

    -奥兰多

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    您好、奥兰多!

    这归功于高侧 MOSFET 的温度为65℃、低侧 MOSFET 的温度为带负载的45℃、输入电压为48VDC、输出为24V/25A。

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    章、

    FET 温度很高。 因此、不知道为什么 MOSFET 会出现故障。 是在28A 时变得更糟、还是更接近您的故障情况?

    您是否有任何针对高侧和低侧 FET 的栅极信号示波器?

    -奥兰多