尊敬的专家：
我的客户正在通过 GaN (TP65H015G5WS/转发器)评估 LMG。
他们有一个问题。
如果您能提供建议、我将不胜感激。
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"LMG1210"用于驱动 Transsphorm 的 GaN FET "TP65H015G5WS"。
随着电压(VDS)的增加、电压(VHB-VHS)也增加、超过了绝对最大额定电压。
此外、当我提高电压(VDS)时、最终"LMG1210"损坏。
・背景：LMG1210EVM 使用 EPC 和 EPC2001等元素、但本原型板使用的是 "TP65H015G5WS"(Transphorm)。
LMG1210EVM 使用名为 EPC2001 (EPC)的 GaN。
评估板无法在 FET 上安装散热器、当出现大电压(约35V 或更高)时
是输入、它会产生热量并且电路板温度超过100℃。
因此、我们决定为 LMG1210创建一个原型板、该板具有可以安装在散热器上的新 FET。
・电路：除了 FET、一切都一样。
・条件：FET 和 IC 之间的距离发生变化。
在 LMG1210EVM 中、FET IC 之间的距离约为4mm。
另一方面、在原型板中、FET IC 之间的距离增加到大约55mm (用于散热器实现)。
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我认为原因是增大 LMG1210和 GaN FET 之间的距离会增加寄生电感和振铃、进而增加 VHB-VHS 和
会导致损坏。
我提供了振铃控制应用手册。 (slyt465)
请告知我们任何其他理由和措施。
如果需要、请告诉我、以便看到波形。
感谢您提前提供的巨大帮助。
此致、
真一市
