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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1297516/lm5148-lm5148
在测试 SW 的 MOS 驱动器 Vgs 时、我们在上桥和下桥 MOS 驱动器中发现了轻微的短路现象。 同时、在测试您提供的演示板时、还会出现一些现象。 我们能解决它们吗？ 或者如何增加上桥和下桥 MOS 的死区时间？
您好！
您是使用栅极电阻器还是在 Cboot 上有电阻器？ 您能向我们展示一下原理图吗？ 通常、将反向二极管与栅极电阻器并联会很有帮助。
谢谢。
Br、
石屏市
这是我们的原理图， 我们希望稍微增大死区。 请提供一些建议。 谢谢！
请将 R6和 R70设置为0欧姆。
谢谢你。
思考与问候！
赖
这是我们的原理图， 我们希望稍微增大死区。 请提供一些建议。 谢谢！ 
