[参考译文] LMG1210：是否可以使用 SiC G3R40MT12D (GeneSiC)

嗨、Shinichi：

感谢您关于 LMG1210的问题。

对于驱动 SiC FET、需要高栅源电压才能在高漏极电流下实现低 VDS 饱和电压。 这是由于 SiC FET 与 Si FET 相比具有低跨导。 由于 LMG1210是一款 GaN 驱动器、GaN FET 的工作电压约为5V Vgs、我认为在这种情况下这不是最佳选择。

以下是对我们其中一个具有 SiC FET 的低侧驱动器的参考- 链接

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

嗨、Shinichi：

如果您的客户在其系统中的操作条件下可以正常工作、则他们可以继续操作。

如果它们的总线电压允许、像新的 UCC27301A-Q1或 UCC27311A-Q1这样的产品在120V 下可能是候选产品。

我们计划推出一些未来产品、以 更好地驱动 SiC FET。

如果需要其他保护措施、隔离式栅极驱动器也可能是潜在的解决方案。

同样、LMG1210可以驱动 SiC FET、如果它能够有效地驱动 SiC FET、则表示良好。

如果有任何其他问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔