您好!
为了简单起见、我正在使用 SIC 肖特基二极管和 SI MOSFET 设计一款升压转换器。 我想知道如何合理地选择哪个 MOSFET 的过渡应该较高或较低。 SIC 二极管的反向恢复能力很小,所以 MOSFET 的导通和关断速度更快是可以的吗?
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为了简单起见、我正在使用 SIC 肖特基二极管和 SI MOSFET 设计一款升压转换器。 我想知道如何合理地选择哪个 MOSFET 的过渡应该较高或较低。 SIC 二极管的反向恢复能力很小,所以 MOSFET 的导通和关断速度更快是可以的吗?
尊敬的 Vasudev:
肖特基二极管速度非常快、并且压降很低、但它们的漏电流确实较高。
您肯定还应该尝试提高 MOSFET 的开通速度来降低开关损耗。 二极管的反向恢复时间几乎肯定会短于 MOSFET 的开关转换时间、尤其是对于大型低 Rdson 开关。
您的 SiC 二极管器件型号是什么? 有时数据表会为给定反向电压情况指定反向恢复时间。 开关时间在很大程度上取决于 MOSFET 的跨导和栅极驱动器电路的峰值输出电流。 尽量不要选择额定电流远大于必要电流的开关、因为这样会比较低的 Rdson 更强、从而增加电容和开关损耗。
如果您要实现接近 SiC 二极管反向恢复时间<10ns 的开关速度、可能需要测试几种不同的 Rdson 额定值、因为寄生 Ciss 比高于陶瓷开关速度的驱动强度更重要。
此致、
肖恩