您好！
根据 TI 针对 LM5116 (www.ti.com/.../snva285)进行 PCB 堆叠设计用户指南 、我为其定义了4层 PCB、并具有以下特性(FR4材料上2盎司铜顶层和底层、1盎司铜内层、厚度为0.06英寸)、
我想知道堆叠层是否适合如下所示：
顶部:信号(我根据数据表中的 PCB 布局模板创建了一些填充区域)
内部1：GND
内部2：24Vdc (我设计的降压转换器输入电压为40到60V、输出电压为24V、输出电流为3.5A)
下：信号(我用连接到 GND 网的填充区将其覆盖)
另外、目前我已将 PGND 和 AGND 连接到 PCB 中的 GND。 对吗？
谢谢！
莱拉
您好 EricLee、
非常感谢您的快速回复和评论。
我试图运用你的意见,但我对其中的一些意见感到困惑。
第一层(顶层有专用的 AGND 覆铜)：您是说我是否要在顶层创建 AGND 填充区域？
在 LM5116数据表的典型原理图中、PGND 和 AGND 连接在一起、然后连接到 GND。 然后在 PCB 布局中、我们将网设置为 GND。
2.开尔文连接:如果你是说在 Rsense 周围使用开尔文连接是4线或开尔文检测测量。 因此我需要在电路中添加 R5、R6、R7、R8 (基于典型电路原理图)。
3.散热过孔:是否 正确连接了所有的接地端?
最后、我是否可以按如下所示初始化堆叠层、因为我认为此设置更适合返回电流通过？
顶部：信号
内部1：AGND
内部2：PGND
下：信号(我用连接到 GND 网的填充区将其覆盖)
此致、
莱拉
你好，Leila
1.请参阅 https://www.ti.com/lit/ug/snva226c/snva226c.pdf 。 请找到用红色圈出的 AGND 覆铜区。
2.请只用两根电线。 一个用于 CS、另一个用于 CSG。 请对其进行并行路由。 将它们连接到 Rsense。 请勿连接到 PGND/PGND 等其他接地端 EP。
3.是的，请将 IC 下面的所有散热过孔接地。
4.通常情况下、AGND 覆铜位于顶层、尺寸不是很大。 请参阅我用红色圈出的覆铜区。
- EL
您好 EricLee、
非常感谢您的帮助。
我试图将您的建议应用到我的 PCB 设计。 另一方面、基于产品的机械设计、我不得不减小电路板尺寸。 希望创建了正确的开尔文连接。
感谢您发送编修。
此致、
莱拉
你好，Leila
- EL
您好 EricLee、
感谢您的评论。
我尝试了将您的意见应用到我的设计。 但是
R6的 CSG 引脚连接到 R_sense (R11)的 GND。
ROUT LO 和 PGND 起初是并联的、但在将 PGND 连接到 R_sense 的 GND 之后、我不得不使用过孔连接到 MOSFET 的栅极。
HO 和 SW 的 ROUT 在开始时是平行的。 我尝试在 Rg1之后使它们并联。
我在 IC 的顶部和底部放置了6个过孔、但其中3个在 IC 的 GND 区域。 对吗？
但我还有其他问题、
将散热焊盘连接到顶层 GND 是否正确？ 此外、在第二个内层中、此区域由连接到24VDC 的填充所覆盖。
另外、我担心顶层和底层之间的24VDC 布线使用一个过孔。
非常感谢
此致、
莱拉
你好，Leila
将散热焊盘连接到顶层 GND 是否正确？ =>是
在第二个 内层、这个区域覆盖了一个连接到24VDC 的填充物。=>您不需要。 请用接地线覆盖所有未使用区域。 实际上、我找不到您提到的24VDC 迹线。
- EL
您好 EricLee、
非常感谢您的反馈。
我对24VDC 迹线的意思与位于电路板右侧的一条迹线有关、该迹线通过顶层和底层之间的过孔连接。
另外、我还从内层2绘制了一张图片、该内层2分为两个区域、左侧 GND 和右侧24VDC。 我不确定这是否好。
最后，关于模拟接地，您的意思是将铜线区域连接到 IC 的 DAP 区域吗？
此致、
莱拉
