[参考译文] LM66100：理想二极管 LM66100故障行为

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1291506/lm66100-problem-behavior-ideal-diode-lm66100

器件型号：LM66100

您好！

我发布的主题是有关 LM66100元件的使用。我使用的是外部供电设备。我想测量电池充电后的电压。

目标是在很短的时间内(大约1ms)激活晶体管 Q7并在负载下测量3V6 (R44和 R48)。我们观察到 VDD 上的容量会破坏该测量(尤其是 C2)。由于功耗过大和压降、我们不使用二极管。我们需要使用理想二极管(LM6610)来限制功耗和压降。我使用了常开的反向电流阻断(RCB)设置、但未看到正确的行为。

电路行为。蓝色= VDD 黄色= 3V6此表示校正与二极管相关联的偏移。

运行平台、可用于 LM66100
Bleu = VDD
Jaune = 3V6

该元件是否适合此用例？

谢谢。

法比恩

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2531530 points

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尊敬的 Fabien：

欢迎使用 e2e！

为了在 CE 连接到 VOUT 时激活 RCB (反向电流阻断)、CE 需要比 VIN 高35mV (典型值)。由于 R44/R48不会产生到 GND 的强下拉电阻、因此从 VOUT 流向 VIN 的电流相对较小、并且会产生<35mV 的压降、这就是 CE 没有变得足够高来禁用器件以及没有足够的反向电流来触发 RCB 的原因。

VBAT_OUT 的高电平是多少？如果它足够高(这就是您需要关闭 TPS66100的全部情况)、您可以将 CE 连接到 VBAT_OUT、它将在进行此测量时禁用该器件。

谢谢。

帕特里克

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2531530 points

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Patrick、您好！

非常感谢您的快速响应、

我认为该组件很难在我的应用中实施。

此致、

法比恩

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