[参考译文] LM5143：为输出电压11V- 100A 选择 MOSFET

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器件型号：LM5143

大家好！

我的设计：输入电压为60V、输出电压为11V、Imax = 100A、fsw = 300kHz。

1、我需要一些帮助来为高侧和低侧选择 MOSFET。目前我选择了 BSC036NE7NS3GATMA1,但当我进入 parmameter

快速设计工具、负载100A 下的效率非常低。

请对此进行更多说明。

2、遵循数据表,低侧 MOSFET 开关的功率损耗是负的,我不明白这一点。

0 admin 1 年多前

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道、

开关损耗由 SW 节点上升和下降时间控制、主要由高侧 MOSFET 的导通和关断时间控制。

低侧 MOSFET 主要损耗是导通损耗、尤其是在低占空比和高 IOUT 时。

低侧 MOSFET 的 RDSON 控制这些损耗、请注意、这些损耗为 I^2 * R、因此它们随电流呈指数增加。

因此、务必降低低侧 MOSFET RDSON (和电感器 DCR)。

您必须在低侧 FET 上具有较低的 RDSON。或者、您可以使用并联 FET 来并联 RDSON。

希望这对您有所帮助。

-奥兰多

0 admin 1 年多前

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您好、奥兰多！

我了解到 Fsw 和 tr 以及 tf 具有相同的高侧。那么、开关损耗为何不同、Vin 是否不同？

正如我知道的、在我们计算开关损耗时、Vin 是 MOSFET 的 VDS (off)。

0 admin 1 年多前

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道、

HO 提供高侧 FET 并控制 SW 导通。 HOL 吸收高侧 FET 并控制 SW 关闭。

如果 HO 和 HOL 连接到 FET 或使用相同的栅极电阻器、那么上升和下降时间将相似。

如果 HO 和 HOL 具有不同的栅极电阻器、那么上升和下降时间将会不同。

是的、VIN 为 MOSFET 的 VDS (OFF)。

请注意、BUCK "开关损耗"是由过流和电压导致的。

高侧 MOSFET 必须覆盖所有的 VDS /VIN 和开关电流。

低侧 MOSFET 不会将所有 VDS 与开关电流重叠。低侧 MOSFET 仅在开关电流下与低侧体二极管电压~0.7V 重叠、因此与高侧相比、开关损耗要低得多。

希望这对您有所帮助。

-奥兰多

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