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[参考译文] 通过 MOSFET 关闭电源

admin
Guru**** 2370010 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25310Q2
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1288173/mosfet-to-turn-off-power-source

主题中讨论的其他器件：CSD25310Q2

我有一个与 MOSFET 相关的问题

就像下图一样、我想使用 PMosfet 实现截止功率、但当我对 G 引脚施加高逻辑时->我在 MOSFET 的引脚3处得到了2.2-2.4的电压

我不知道为什么。

有人对此问题有任何想法吗？

谢谢。

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    TI__Guru**** 2370010 points
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    嗨、Khieu、

    此论坛包含有关 TI 电源开关器件的技术问题。  

    有关 TI 电源开关器件的更多信息、请访问此链接： https://ti.com/powerswitches 

    对于3.3V 系统、我建议查看我们的负载开关产品系列。

    感谢您关注 TI 电源开关。

    什雷亚斯

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    TI__Guru**** 2370010 points
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    您好、Khieu、

    谢谢咨询。 P 沟道 FET 的栅极需要上拉至3.3V 才能将其关断。 我查看了原理图中显示的 PFET 的数据表、它规定了 VDS =-3V 时、-1mA 漏极电流的最小阈值电压为-0.3V。 逻辑信号可能没有上拉至足够高以完全关断 PFET。 为了在100kΩ 电阻器 R33上产生2.2V 的电压、流经 FET 的电流需要约为22μA。 我建议测量 VGS 以确保其小于0.3V。 另外请记住、阈值电压具有负温度系数、电压幅度会随着温度的升高而降低。 漏源漏电流具有正温度系数、并随温度升高而增加。 最后、在上电时、根据 FET 源极处3.3V 斜升的速度、可能会有一些电流流经 FET、直到栅极充电至源极电压。 是否正在寻找 FET 建议来替代当前使用的器件？ 如果是、我会推荐 TI 的 CSD25310Q2。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 2370010 points
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    您好， 

    感谢您的理想

    I 测量了 Vgs (引脚1和引脚2)并获得0.03V 到0.05V、但 VCC_3V3上仍然具有1.2V ( 我的实验室的温度 是23 °  C)在 VCC_3V3上无负载连接

    引脚1直接与 C48和 R32连接。

    CSD25310Q2 ->让我尝试使用您的理想产品、但我认为问题与 MOSFET 无关。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2370010 points
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    嗨、Khieu、

    电流是否有任何其他路径流向 VCC_3V3？ 或许 VCC_3V3上的任何电源也由系统中的另一个电源轨供电？ 我看到过一些应用、其中供电设备连接多个电压轨、并且两个电压轨之间存在泄漏。 如果 VGS 在0.03V 至0.05V 之间、通过 P 沟道 FET 的泄漏电流应该很少。

    谢谢。

    约翰

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    TI__Guru**** 2370010 points
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    你好，John 很抱歉我迟到了

    没有任何器件与 VCC_3V3连接

    我知道 MOSFET 实际上是 P 和 N、并且会有泄漏电流、但当 MOSFET 关断时会非常小、但>1V 过大。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2370010 points
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    嗨、Khieu、

    我不确定为什么在 MOSFET 关闭时输出电压为1V。 您是否尝试过将栅极直接与电源短接？ 您是否已联系 MOSFET 供应商以获得他们的帮助。

    谢谢。

    约翰

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    TI__Guru**** 2370010 points
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    嗨、Khieu、

    由于我没有收到您的回复、我假设您的问题已经得到解决、将关闭此主题。

    谢谢。

    约翰