[参考译文] LM5170-Q1：具有外部栅极驱动器的 LM5170

伊兰、您好！

  有关外部栅极驱动器、请访问 e2e.ti.com/.../lm5170-q1-lm5170-q1-external-gate-driver-ucc27712dr。

您应该使用 GaN 或 SiC FET、因为高压 Si FET 具有不良的体二极管。

我们对您的系统了解甚少、无法提供任何有关隔离的建议。

此致、

冯志

尊敬的 Feng Ji：

我想修改演示板 : https://www.ti.com/tool/PMP21943。

目标是实施  

•  输入电压40VDC t0 250VDC。
• 输出电压31VDC。
• 输出功率为1500瓦。

请建议。  

谢谢！  

伊兰·马祖兹

伊兰、您好！

我认为由于 Si 的限制、您必须使用 GaN 或 SiC。

 由于不同的栅极要求、很难用 GaN 或 SiC 直接替换 PMP21943中的 Si MOS。

此致、

冯志

尊敬的 Feng：

如果输入电压 MAX 为165VDC。

• 输入电压40VDC t0 165VDC。
• 输出电压31VDC。
• 输出功率为1500瓦。

我想修改演示板 : https://www.ti.com/tool/PMP21943 而不更改栅极驱动器

请建议。  

谢谢！  

伊兰、您好！

我们会提供一些反馈给您。

谢谢、此致、
布赖恩  

伊兰、您好！

这是一个很大的变化。 您可以向 loacl FAE 寻求帮助。

此致、

冯志