• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 6 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 48 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS40210：Rg 是否是外部栅极电阻器和 MOEFET 内部栅极电阻器

admin
Guru**** 1633940 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40210, TPS40210EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1290585/tps40210-does-rg-is-means-external-gate-resistor-and-moefet-internal-gate-resistor

器件型号：TPS40210

我对 TPS40210 DS "等式30、Rg= 105/Rg"中的 Rg 大计很好奇 Qg。

Rg 是否是 Eq30是指 外部栅极电阻器 和 MOEFET 内部栅极电阻器？  

我们查看 TPS40210EVM 上的设计    

MOSFET Q1的 Qg 为18nC

    然后 等式30，Rg=105/105/V18=5.8 Qg

但外部电阻器仅为3.3伏、   

当我 用外部电阻器加上 Q1的 Rg 值(2.5欧姆)时 -->3.3+2.5=5.8，

比我可以得到 "等式30, Rg= 105/Rg" Qg  --> 105/18= 5.8等于(3.3 + 2.5)

您是否可以帮助在" 公式30 "(Rg= 105/Q1)中确认    Rg 的值是指外部栅极电阻器和 Qg 的 Rg (MOEFET 内部栅极电阻器 )？  

谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 1633940 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dimitry：

    感谢您的联系。 我看到您创建了一个新主题、因此我继续并关闭了另一个主题。
    查看 FET 的数据表后、我可以确认您的计算是正确的。  

    数据表中的栅极电阻包括键合线和通向栅极的封装引脚。 因此、确实必须将其添加到将 IC 连接到 MOSFET 的外部电阻器上。

    谢谢、此致、
    布赖恩

  • 0
    TI__Guru**** 1633940 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Bryan

    您可以推荐如何 为 EQ30选择合适的 Q1值  

    我当前设计中的 Q1是 fdms86101-d

    https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/fdms86101-d.pdf

    Rgate 是否为3欧姆？

    VDD 的设计为12V、Qg 是否为33nC？

    则外部电阻器为(105/33)- 3=0

    -->这是否意味着我可以为外部电阻器输入0欧姆电阻器？

    谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 1633940 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dimitry：

    实际上、对于 MOSFET、您选择的内部栅极电阻最大值似乎为3欧姆。
    但是、所述晶体管的总栅极电荷取决于施加到其上的电压。

    能否详细介绍一下您的电路要求？ 输入和输出电压、所需输出电流以及此类参数。
    通过这种方法、我们可以确定在开关节点产生的电压。

    谢谢、此致、
    布赖恩

  • 0
    TI__Guru**** 1633940 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Bryan

    对于 MOSFET，您的确选择的内部栅极电阻最大值似乎为3欧姆。
    但是、所述晶体管的总栅极电荷取决于施加到晶体管上的电压。

    您是否意味着我们无法选择内部栅极电阻器的最大值？

    在图7中、当 Vgs 为8V ( TPS40210 规格)时、Qg 约为33nC

    -->这就是我为方程30输入该值的原因

    我希望首先关注方程30。

    基于我之前的计算,-->这是否意味着我可以为外部电阻器输入0欧姆?

    如果您需要了解任何特定的价值、我可以提供。

    谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 1633940 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dimitry：

    感谢您的反馈、我很快会向您提供一些答案。

    此致、
    布赖恩

  • 0
    TI__Guru**** 1633940 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dimitry：

    对不起、我没有很长的响应时间。

    MOSFET 的内部栅极电阻是连接到开关的参数、因此无法更改。  
    则可以选择另一个 MOSFET。

    正如我说过的、栅极电荷取决于您的电路。 一种安全的方法是在到栅极的路径中添加一些焊盘、您可以放置0欧姆电阻器、如果您需要额外的栅极电阻、您仍然可以 在那里添加一个电阻器。

    谢谢、此致、
    布赖恩