[参考译文] UCC21550-Q1：UCC21550当 RDT=1K 时如何计算 DT？

您好，Sean，

那么、为什么 RDT 的使用范围标记为：1K<RDT<100K？

谢谢！

尊敬的 Guohai：  

突出显示的文本表示"1.7k"是下限。 我将尝试使用1k DT 电阻器来测试死区时间、并使用时间值返回给您。 它可能可行、只是死区时间持续时间开始偏离此方程超过规定的7%容差。

您的客户的死区时间目标是什么？ 此外、他们如此快速高效地切换的秘诀是什么？ 当我尝试使用非常短的死区时间时、我开始产生大量击穿电流。 它们必须具有非常小的低电容开关和出色的栅极驱动电路！

此致、

肖恩  

Sean、您好！

这将在800kHz 的工作频率下应用。 客户还处在早期设计阶段、所以想要知道 DT、当 RDT=1K 时参考、这是官方没有使用的。 这是一个可以计算的电阻值吗？

请允许我提出一个新问题：
UCC21550的工作隔离电压为 VDC<2121V。 如果在超出此电压值的环境中施加该电压、将会发生什么情况？ 这只是寿命缩短了吗？ 或者会对 IC 的某些部件造成损坏吗？ 请提供具体的故障症状。
谢谢！

尊敬的 Guohai：

我还没有机会测量死区时间。 设计人员回答说、  

"死区时间小于1.7k 将进入最小死区时间区域。  该容差非常宽、上升和下降死区时间之间可能存在较大偏差。  我只有3个器件的数据、RDT=1k 会导致-0.6ns 至5ns 的死区时间。"  

此致、

肖恩

Sean、您好！

我在数据表中找到此图片。 这是否意味着隔离电压的升高只会缩短芯片的寿命？ 例如、当 Vrms=3200V 时、IC 的持续时间大约是1.E+07秒？

谢谢！