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[参考译文] TPS25990:有关 TPS25990运行的质询

Guru**** 1472385 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS25990EVM, TPS25985
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1291957/tps25990-inquiries-regarding-tps25990-operation

器件型号:TPS25990
主题中讨论的其他器件: TPS25985

大家好、TI 支持团队

1.为了实现数据表中描述的"可编程快速过流检测"功能、用作 SWEN 的 GPIO3更改为 COMP1 OUT、即内部比较器1的输出。 用于齿

我通过更改电子保险丝寄存器 E4h[2](器件配置)、E2[7:5]、ebb (comp1 ref)[3:0]进行了检查,发现一旦 GPIO3输出变为低电平,它就不会再次上升,而状态寄存器则确认

CMP1_FLT 指示符出现在80h[0]时。

关于上述情况、如果 GPIO3不用作 SWEN、而是用作 COMP1输出、则应如何设置该寄存器?

(我是否需要将上述设置保存到 NVM 中、然后进行检查?)

EEPROM 已连接到我们正在使用的 EVK、但查看内部状态寄存器值、似乎两个 NVM 都已使用、EEPROM 未被电子保险丝识别。

为此目的确认的寄存值为  E3h[0]= 1 F3h[0]= 1,F3h[7]= 0。

您是否正确检查了是否可以使用内部 NVM?

还有其他需要检查的东西吗?

如果不能使用 NVM、请告诉我们如何设置以使用外部 EEPROM。

3.数据表中提出了两种生成施加到电子保险丝开关上的高电压的方法、如下所示。

选择齐纳二极管电压为4.7V 是出于什么原因?

使用齐纳二极管时、还有其他需要注意的事项吗?

谢谢。

此致、

MJ

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您是否正在使用 TPS25990EVM?

    如果是、则此 EVM 由并联的 TPS25900和 TPS25985组成。 GPIO3必须设置为 SWEN。 GPIO2或 GPIO4应用作比较器输出。   需要使用 GPIO_CONFIG_12 (E1h、读取/写入字节)和 GPIO_CONFIG_34 (E2h、读取/写入字节)寄存器将 GPIO2或 GPIO4配置为比较器输出。 更改 E1h 和 E2h 寄存器的内容将存储在 RAM (易失性存储器)中。 输入电源循环或 EN 循环使这些寄存器复位为其默认值。 将这些更新后的寄存器内容存储在 NVM 中将避免由于 输入下电上电或 EN  回收而复位寄存器。 但写入 NVM 的操作只能进行两(2)次。  

    您似乎已经发送了 STORE_USER_ALL (15h、Send Byte)命令两(2)次。 因此、NVM 耗尽。  

    通过将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 EXT_EEPROM 位设置为高电平、可以成功连接外部 EEPROM。 此外、可以通过在 GPIO_CONFIG_12和 GPIO_CONFIG_34寄存器中将四(4)个 GPIO 中的两(2)个配置为 EECLK 和 EEDATA 来完成。 确保这两(2)个选定的 GPIO 引脚分别物理连接到电路板上的 EEPROM 时钟和数据引脚。

    GPIO3/SWEN 上拉电压必须在2.5V 至5V 范围内。