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[参考译文] CSD18541F5:CSD18541F5的 VGS (th)

Guru**** 2379860 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18541F5
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1291501/csd18541f5-vgs-th-of-csd18541f5

器件型号:CSD18541F5

大家好、我有关于 CSD18541F5数据表的问题。 在第一页的"产品概要"表中、Vgs (th)描述为1.75V。 另一方面、在图4平坦区域部分按镜像效应显示的图中、存在大约3V。 因此、这意味着 Vgs (th)大约为3V。 为何这些数据是矛盾的呢? CSD18541的 Vgs (th)的正确值是多少?

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    尊敬的 Matsumoto-San:

    感谢您关注 TI FET。 MOSFET 阈值电压 Vgs (th)和平坦电压 Vgs (pl)是两种不同量。 VGS (th)定义为漏极电流为250μA 的栅源电压。 这是数据表中的规格以及器件在生产中测试的位置。 Vgs (pl)定义为栅极-源极电压、其中 dVgs/dt 为最小值(即 Vgs 波形在输出端平坦化)。 数据表中未指定平台电压、也未在生产中进行测试。 产品开发期间收集了 Vgs (th)和 Vgs (pl)的特性数据。 如果您查看图4、1.75V 的典型阈值电压发生在平坦电压之前、该电压通常约为3V。 如果您有任何问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用