• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 3 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 115 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ40Z50-R2：DSG 引脚电压

admin
Guru**** 2616675 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1290871/bq40z50-r2-dsg-pin-voltage

器件型号：BQ40Z50-R2

大家好、我已经完成了我的设计的第二个修订版。 正如我一直在思考我这次是否拥有这种电量、当我尝试对电池组放电时、MOSFET 变得越来越热。 因此我检查了 DSG MOSFET 的栅极。

我说、让我们检查旧版本。 就在这里。 栅极电压为8V (近似值)

我开始思考为什么。 这种差异是否就是 MOSFET 变热的原因？

  • 0
    TI__Guru**** 2616675 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Tugba：  

    电荷泵将 CHG 和 DSG 引脚上的电压升高到源电压~10V。 这将打开 FET。 您提到您在栅极看到8V 电压、相对于源极的这个电压差是多少？ 如果是、这是正常行为。

    如果 FET 的额定电流/功率耗散不足够、则其中的温度可能会上升。 请仔细检查这一点。 内部电阻(Rdson)可能过高。  

    此致、
    何塞·库索

  • 0
    TI__Guru**** 2616675 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Im 在两种不同的设计中使用相同的 MOSFET。 其中一个显示当在 GATE 和 GND 之间测量 Im 时为8V。 该 PCB 中的 MOSFET 不会变热。

    但对于第二个设计的第二个 PCB、MOSFET 会变得很热。 栅极- GND 显示19V。  

    这是否正常、或者这里的问题可能是什么？

  • 0
    TI__Guru**** 2616675 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Tugba：

    Unknown 说：
    其中一个显示 Im 在门和接地之间测量时为8V

    这听起来是"好"的设计将 FET 关闭了。 如果栅极电压与电池电压的电压电平相同、则意味着 FET 关断(栅极至源极=~0V)。  

    有关数据表中的更详细说明、请参阅下面的。


    通常、监测计不控制 FET 的热。 该电量监测计具有测量 FET 温度的功能、如果配置正确、它将触发警报。 如果 FET 变热、请确保选择相应的 FET。 您可能需要检查我们在评估板(EVM)中列出的 FET、也可能在本 参考设计。

    Unknown 说：
    但对于第二个采用第二种设计的 PCB、MOSFET 会变得很热。 栅极- GND 显示19V。  [/报价]

    看起来 FET 已打开、电荷泵会将栅极电压置于高于源电压大约/通常高于源电压11.5V 的位置。  

    此致、
    何塞·库索