请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:CSD18541F5 大家好、我有关于 CSD18541F5数据表的问题。 在第一页的"产品概要"表中、Vgs (th)描述为1.75V。 另一方面、在图4平坦区域部分按镜像效应显示的图中、存在大约3V。 因此、这意味着 Vgs (th)大约为3V。 为何这些数据是矛盾的呢? CSD18541的 Vgs (th)的正确值是多少?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、我有关于 CSD18541F5数据表的问题。 在第一页的"产品概要"表中、Vgs (th)描述为1.75V。 另一方面、在图4平坦区域部分按镜像效应显示的图中、存在大约3V。 因此、这意味着 Vgs (th)大约为3V。 为何这些数据是矛盾的呢? CSD18541的 Vgs (th)的正确值是多少?
尊敬的 Matsumoto-San:
感谢您关注 TI FET。 MOSFET 阈值电压 Vgs (th)和平坦电压 Vgs (pl)是两种不同量。 VGS (th)定义为漏极电流为250μA 的栅源电压。 这是数据表中的规格以及器件在生产中测试的位置。 Vgs (pl)定义为栅极-源极电压、其中 dVgs/dt 为最小值(即 Vgs 波形在输出端平坦化)。 数据表中未指定平台电压、也未在生产中进行测试。 产品开发期间收集了 Vgs (th)和 Vgs (pl)的特性数据。 如果您查看图4、1.75V 的典型阈值电压发生在平坦电压之前、该电压通常约为3V。 如果您有任何问题、敬请告知。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用