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[参考译文] TLV760:TLV760

Guru**** 2502205 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1291665/tlv760-tlv760

器件型号:TLV760

我需要计算应用中 TLV76012组件的结温。 我已 ºC IR ºC 在封装顶面测量温度、在环境温度为20 ̊ C 时的温度为84 ̊ C。 该组件的功耗为0.8W、并安装在厚度为0.7mm 的2层电路板上。 该板还安装在大散热器上。 我 ºC 数据表中提供的2.9 μ V/W JEDEC 热阻可能与我的应用不太对应。 ºC、我将使用92.9k Ω/W 的 Rjc 执行计算。

因此计算结果为:TJ= 84ºC + 0.8 W*92.9= 158.3 ºC,因此可能无法正常工作。

然而、84ºC JEDEC 热阻计算得到:TJ=ºC + 0.8W*2.9= 86.3 、所以我可以使用组件。

应使用哪种热阻值?

与 JEDEC ºC、92.9 μ V/W 的值是否太高? 这个值正确吗、或者它在数据表中是错误吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Maria:  

    如果连接到板上的散热器与板上的 LDO 也有良好的热连接/导通路径、那么我同意标准 JEDEC 热数字可能不那么适合您的情况。 表明您的电路板的散热性能比 JEDEC 标准更好的一点是、您在应用中以0.8W @ 20C 的温度运行器件、并且没有看到器件进入热关断状态。  

    热耗散在很大程度上取决于 PCB 布局、因此在这种情况下、我建议测试实际电路板的热耗散。 我们在" 从 LDO 的角度来看热耗散"部分中说明了如何在实验中执行此操作、常见问题解答中的问题6对此进行了介绍。  

    我希望这对您有所帮助。