您好!
我想将其用作理想的二极管。 左侧输入电源10V 至60V。 当负载高于250uF 时、如果我开启 MOSFET Q1B、它会烧坏。 我使用 Infineon 的功率 MOSFET (IPG20N10S4L-22)。 我还尝试了 Vishay (78-SQJB80EP-T1_GE3)、结果相同。 我想我在 浪涌电流限制方面犯了一个错误?
1.运动
绿色、显示输出端的电压。 以黄色显示输出端的电流。
2.打开时输入电压为60V,输出电压为47uF。
2.输入电压55V、输出电压380uF 开启
不幸的是、我的 电流钳位计切断了电流。 在 出现这样的尖峰后、MOSFET 的漏极和源极之间有一个5欧姆至10欧姆的电阻、无法再进行开关。
您是否有关于如何确保可以使用更大的电容器通过此输出为器件供电的建议?