尊敬的供应商：
对于高侧开关 TPS272C45D、在进入待机模式时可能导致0.24W 的功率耗散。 我们测量 GDN 引脚的电压,有0.735V 电压。 这是有点奇怪的。 我们希望 在进入待机模式时降低 IC 的功耗。 请查看原理图是否存在错误 、并帮助分析高功率耗散的原因！ 非常感谢！
尊敬的 Elizabeth：
感谢您的回复！
将 R815更改为0R 并 再次进行测试、R815的电压为0.644V、 功耗没有 改变。 我们计算出功率损耗为读取电源的电流变化。 移除 R836 R833后、 当电源为48V 时、它可能导致5mA 电流发生变化。 我们还 在设计中使用了高侧开关 TPS27S100B。 当进入 待机模式时，BAS21的引脚1电压几乎为零。 TPS27S100B 不存在功率耗散问题。 希望它能有所帮助！
期待您的回复,谢谢!
尊敬的 Elizabeth：
在我们的项目中、首先由 LM5145将48V 输入电压降至12V、然后为 TPS272C45D 供电。 下图 显示当前 电源的 chagne ,请检查它. 
看到这一行为后、TPS272C45D 仍工作。
我们 使用万用表测试 TPS272C45D 进入待机模式时的电流消耗。 电流是关于1mA。 这真的很奇怪,我 不知道 其余的权力去哪里!
添加 R836 R833时,我们 逐个移除 TPS272C45D 周围的所有元件,仅移除 R814 R815和 D803, 电源电流回到9mA。
TPS272C45D 连接到 GND 时似乎出现电容变化现象。 请帮助分析这个问题,非常感谢!
尊敬的 Tim：
感谢您的答复。
我 有点困惑。 数据表中的电流消耗为0.5uA、请重新检查？ 如果您对 LM5145有什么建议以减少待机功 耗？ 非常感谢！
亲爱的 提姆和 伊丽莎白：
感谢您的答复。
当该器件设置为关闭时、我们测量大约1mA 电流。 请看下面的图片 。 谢谢大家！
尊敬的 Fu：
我认为您的原理图没有任何问题。 所使用的电流表的粒度是多少？ 能否检测 uA？
如果 VS 与任何其他器件共用、这将增加汲取的电流。
在以下条件下、TPS272C45器件关闭时、仅消耗最高3uA 的电流。
请为相关通道提供探测 VS、EN、VOUT、IOUT 的波形、以确认此行为。
此致、
伊丽莎白
尊敬的 Elizabeth：
请参阅附件。 由于示波器通道数量不足、我分别对它们进行了测试。 由于未增加负载、因此未测试 Iout。 当 EVM 板上的 EN 和 DIAG 为0V 时、我真的想知道 IC_GND 的电压是多少？ 非常感谢！
您好！
我们预计 IC_GND 从模块接地的偏移电压等于所用二极管的正向压降、对于 BAS21、该电压降将高达1.25V (如下所示)。
请注意、在您的最终设计中、不需要专门使用 BAS21二极管(可以使用另一个二极管)、在某些情况下、我们建议不要使用 BAS21。
为了详细说明接地网络建议：
在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的 ISO 标准。 如果需要较少的反向关断处理能力、则可选择另一个二极管、并且可使用另一个肖特基二极管
主要建议您不要在 IC 接地引脚上看到大于0.6V 的电压、从而确保不会无意中触发接地损耗
此致、
伊丽莎白
尊敬的 Elizabeth：
感谢您的回复。
根据规格要求,IOUT(OFF)的最大电流 仅为3uA,但在我们的设计中,电流为1mA。 这种现象的原因可能是什么？ 非常感谢！
