This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM7481-Q1:在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

Guru**** 1179000 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1288853/lm7481-q1-mosfet-burn-out-when-turning-on-with-capacitors-as-load

器件型号:LM7481-Q1

您好!

我想将其用作理想的二极管。 左侧输入电源10V 至60V。 当负载高于250uF 时、如果我开启 MOSFET Q1B、它会烧坏。 我使用 Infineon 的功率 MOSFET (IPG20N10S4L-22)。 我还尝试了 Vishay (78-SQJB80EP-T1_GE3)、结果相同。 我想我在 浪涌电流限制方面犯了一个错误?

1.运动

绿色、显示输出端的电压。 以黄色显示输出端的电流。

2.打开时输入电压为60V,输出电压为47uF。

2.输入电压55V、输出电压380uF 开启

不幸的是、我的 电流钳位计切断了电流。 在 出现这样的尖峰后、MOSFET 的漏极和源极之间有一个5欧姆至10欧姆的电阻、无法再进行开关。

您是否有关于如何确保可以使用更大的电容器通过此输出为器件供电的建议?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Florian:

    在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。

     确保 FET 安全启动的方法有几种、

    • 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流,这会对输出电容器充电,从而减少 FET 中的额外功率损耗。  
    • 我们可以增加 Cdvdt 电容器以 减少浪涌电流并减少 FET 中的功率耗散。 不过、这将增加启动时间。

    我们提供了设计计算器"Cdvdt—基于启动的 FET SOA 裕度计算器"、帮助您选择 FET-INRUSH-SOA-CALC 并检查所选 FET 是否具有足够的 SOA 来承受启动。 该计算器可从 https://www.ti.com/product/LM7480-Q1#design-tools-simulation 下载 。 在使用计算器之前、请通过计算器中提供的链接观看培训视频。