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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1288377/csd18512q5b-different-continuous-drain-current
大家好、
持续漏极电流(受封装限制)和 持续漏极电流之间的区别是什么？ 为什么第二个更小？ 限制条件是什么？
Hale、您好！
谢谢咨询。 更多有关 MOSFET 连续电流额定值的信息、请参阅以下第一个链接的博客。 封装限制与硅片和塑料封装之间的内部连接有关、与温度无关。 硅片限值和较小的连续电流值都是计算得出的数字。 硅片限值假设 TC = 25°C 并在计算中使用 RθJC、而下限值假设 TA = 25°C 并在计算中使用 RθJA。 我将提供指向应用手册的第二个链接、其中包括指向所有 TI 基于网络的 FET 技术信息的链接、包括数据表系列博客。
https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-3
https://www.ti.com/lit/an/slvafg3b/slvafg3b.pdf
如果您有任何问题、请告诉我。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
