[参考译文] BQ40Z50：I2C 通信问题

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1285422/bq40z50-i2c-communication-issue

器件型号：BQ40Z50
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO

大家好！

我们在记录寄存器值时也面临类似的问题。
我们进行了比较测试：将电池与 EV2300连接、并使用 bqStudio 记录仅可更改 FLASH_BUSY_WAIT 位的寄存器、并在室温下对电池完全放电。以下是我们的测试结果：
e2e.ti.com/.../U80654R01_5F00_30WDSG_5F00_Log_5F00_FLASH_5F00_BUSY_5F00_WAIT_3D00_0.xlsxe2e.ti.com/.../U80654R01_5F00_30WDSG_5F00_Log_5F00_FLASH_5F00_BUSY_5F00_WAIT_3D00_1.xlsx

总之、FLASH_BUSY_WAIT 低电平的日志文件具有44"丢失数据"、FLASH_BUSY_WAIT 高电平的日志文件具有21"丢失数据"。电池功能不存在问题。

这表明、将 FLASH_BUSY_WAIT 设置为高电平可实现器件的时钟延展、记录的缺失数据较少。
但是，根据 err 日志文件，大多数错误代码是： 6、与通信的超时或意外响应 器件。
这是否意味着时钟延展仍然存在一些问题、或者其他问题导致了问题？

有几个尚未记录的寄存器值是否很常见？或者、是因为我们同时记录了所有寄存器值吗？
我们如何改进或解决"数据丢失"问题？

非常感谢、期待您的回答！

此致、
埃里克

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2595805 points

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Eric、您好！

感谢您整理此总结。

当您的读取速度超过建议值时、这些读取错误是很常见的。我们通常建议每4秒记录一次 BQStudio 中的所有寄存器(这是默认值)。尤其是因为您使用的是旧版 EV2300。

您是否可以在 FLASH_BUSY_WAIT 处于高电平时每4秒尝试一次日志记录？

要更改日志时间、请转至"Window"->"Preferences"->"Registers"->"Scan/Log Interval (millisecondures"->"4000"

此致、
何塞·库索

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2595805 points

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您好、Jose、

感谢您的建议。我们每4秒记录一次,再次测试了它,这次只有一个"丢失的数据",这是可以接受的。
我们可能过于频繁地记录数据闪存值。

但是、假设我们仍然希望短时间记录寄存器(例如：每2秒记录一次)、那么减少/消除这种"数据丢失"问题的可能解决方案是什么？如果我们只记录一些寄存器而不是所有寄存器、会有什么帮助吗？

谢谢！

此致、
埃里克

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2595805 points

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您好、Eric、

我很高兴听到错误减少了。

BQStudio 日志记录用于测试目的。对于实际应用、我假设您使用 MCU 来记录。读取频率取决于主机功能。通常、我们建议不要在1秒内读取数据、因为电量监测计每1秒更新一次所有参数。

通常、您不必读取所有寄存器、我认为每1秒使用您的主机控制器即可读取该应用程序。

此致、
何塞·库索

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