主题中讨论的其他器件: TPS92641、TPS922052 、TPS922054、 TPS922055、TPS922053
TPS92641EVM (32V、1A)由 PWM 输入约50kHz~100kHz、并使 LED 闪烁。 但是、运行几分钟后、分流 FET (NTD3055-150T4G)变得足够热、足以熔化焊料。
这是默认设置吗?
并且我想知道如何选择合适的 FET。
谢谢
武志
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
TPS92641EVM (32V、1A)由 PWM 输入约50kHz~100kHz、并使 LED 闪烁。 但是、运行几分钟后、分流 FET (NTD3055-150T4G)变得足够热、足以熔化焊料。
这是默认设置吗?
并且我想知道如何选择合适的 FET。
谢谢
武志
你好,史蒂文,谢谢你的回复
上面的示波器波形是我在这里测量的波形(来自图)。
此外、当 PWM 施加到 TP3 (SDIM)时、指示灯至少闪烁("来自 LED 的照片信号"很慢、因此我仅检查它是否闪烁)。 因此、我认为分流 FET 是驱动的。
但就像这个问题、开车几分钟后、分流 FET 会变得非常热。
您指出的 SDIM 的信号在哪里?
我应该测量哪个 Tp?
此致
武志
您好、Takeshi:
抱歉。 我误忽略了 SDIM 标签。
此外、我认为 PWM 输入频率越快(50kHz~)、分流 FET 获得的热量就越高。
例如、如果输入 PWM 频率为1kHz、它在运行几分钟后不会变得很热、但使用 PWM (50kHz)时、它会变得很热、以至于几分钟内就无法触摸到它。
您的理解是正确的。 通常情况下、SDIM 输入频率越高、并联 FET 消耗的能量就越多、这会使 FET 变得更热。
顺便说一下、SDIM 的输入 PWM 频率的上限是多少?
SDIM 的输入 PWM 频率的建议范围是多少?
请告诉我
[/报价]由于应用条件不同、很难给出可应用于 SDIM 的准确 PWM 频率限制。 请问您需要使用这样的高频 PWM 来驱动并联 FET 的原因是什么? 如果需要、我们可以通过电子邮件进行交谈。
此致、
周老师
你好,谢谢你的回复。
・我要做的是使 LED 高速闪烁、从50kHz 到1MHz。 如果您有用于高速闪烁的 LED 驱动器、请告诉我。
・、我想详细了解为什么"通常 SDIM 输入频率越高、并联 FET 消耗的能量越多、这会使 FET 变得更热"。 (是开关损耗吗?) 例如、降压稳压器(Q1、Q2)在大约500kHz 时开启/关闭、您能告诉我为什么这个降压稳压器不会变得比分流 FET 更热吗? 还请告诉我如何计算此 TPS92641EVM 的热损耗?
・通过电子邮件或这个社区是好的。
此致
武志
您好、Takeshi:
・我要做的是使 LED 高速闪烁,从50kHz 到1MHz。 如果您有用于高速闪烁的 LED 驱动器,请告诉我。
我是否能够理解您的输入电压、LED (输出)电压和 LED (输出)电流要求? 您希望驱动 LED 的最小电流脉冲宽度是多少?
此外、我想详细了解为什么"通常情况下 SDIM 输入频率越高、并联 FET 消耗的能量越多、这将使 FET 变得更热。" (是开关损耗吗?) 例如、降压稳压器(Q1、Q2)在大约500kHz 时开启/关闭、您能告诉我为什么这个降压稳压器不会变得比分流 FET 更热吗? 还请告诉我如何计算此 TPS92641EVM 的热损耗?
并联 FET 比开关 FET 消耗更多能量的原因是输出电容器、因为并联 FET 需要在每次打开输出电容器(LED 关闭)时消耗输出电容器中存储的能量。
让我们做一个粗略估算。 假设输出电容器 Cout = 0.1uF、输出电压 Vout = 32V、并且您正在以 f_sdim = 1kHz 的频率驱动分流 FET。 如果我们假设 Cout 每次分流 FET 导通时放电至接近0V、 然后、分流 FET 消耗的功率(由输出电容器存储)将等于 P_shuntFET = 0.5 * Cout * Vout^2 * f_sdim = 0.5 * 0.1u * 32^2 * 1k = 51.2mW。
不过、如果我们要在 f_sdim = 50kHz 时驱动并联 FET。 那么以上消耗的功率将为 P_SHuntFET = 0.5 * Cout * Vout^2 * f_sdim = 0.5 * 0.1u * 32^2 * 50k = 2.56W、这可能超过了并联 FET 可以承受的范围。 在这里、我们不考虑分流 FET 的传导损耗。 如果还考虑导通损耗、则分流 FET 上的总损耗将更大。
我在这里从输出电容器放电的角度查看损耗。 您还可以以开关损耗的形式查看它、但这会使 估算变得非常困难。
您还可以估算 开关 FET 的损耗(开关损耗+导通损耗)(f_sw = 500kHz)、并将其与同一电路(Vin = 48V、Vout = 32V、I_LED = 1A、所有 MOSFET 均相同)下的分流 FET 上的损耗(f_sdim = 50kHz)进行比较。 您将看到它们之间存在很大的差距。
此致、
周老师
你好,谢谢你的回复。
感谢您、我现在了解分流 FET 产生热量的机制。 在散热方面、通过改进散热器等散热机制、似乎可以解决这个问题。
非常乐于助人!
输入电压为32V、输入电流为1A、最小电流脉宽约为3uS (最小电流脉冲宽度是所需的值)。
我们计划使用高速响应光电探测器评估闪烁情况。
此外、在下图中、I_LED 上升所需的时间约为2.5uS、这一事实是否存在任何问题?
是否有一系列的 LED 驱动器具有比 TPS92641更快的控制速度?
此致、
武志
您好、Takeshi:
谢谢您,我现在了解分流 FET 产生热量的机制。 在散热方面,这一问题似乎可以通过改进散热器等散热机制来解决。
可以。 改善散热可能会有所帮助。
输入电压为32V,输入电流为1A,最小电流脉冲宽度约为3uS (最小电流脉冲宽度为所需值)。
我是否能够理解您的 LED 电压和电流是多少?
此外,在下图中,I_LED 上升大约需要2.5uS 这一事实是否存在任何问题?
您还能测量电感器电流并将它们放在同一个示波器捕获中来帮助我判断这里发生了什么吗?
为日后参考,是否有一系列 LED 驱动器具有比 TPS92641更快的控制速度?
如果 需要超快的电流上升和下降时间(例如、如果您需要几百纳秒的电流脉冲)、带有 TPS92641等 LED 驱动器的并联 FET 是最佳选择。 否则、您可以查看 TPS922052 / TPS922053 / TPS922054 / TPS922055。
此致、
周老师
您好、Takeshi:
最大驱动电流 LED:1200mA、LED 电压:35.6V
输入电压为32V
请仔细检查您的输入电压。
如图所示,电感器是表面安装的,因此似乎很难测量电感器电流。 是否有地方可以测量?
很抱歉、我忘记了您使用 SDIM 来进行 PWM 调光、而不是 UDIM。 无需测量电感器电流。
您是否预计延迟是由 C_OUT 充电或 L_COUT 电磁感应引起的?
我认为这是由于对 C_out 进行充电所致。 当分流 FET 关闭(LED 打开)时、需要一些时间来为输出电容器充电。 例如、我们假设 LED 在 Vf > 30V 前传导电流很小。 然后、在 LED 电流上升之前、t = C_out * Vout / Iout = 0.1uF * 30V / 1A = 3us。 此估算值接近于您在上图中观察到的值。
此致、
周老师