大家好、
我想 计算 VO 在最坏情况下的总容差。
在我的电路中 、对 VLDOIN 施加了具有1.6%容差的1.39V 电压。 使用两个总容差为3%的10K 电阻器向 REFIN 输入施加一半的相同电压。
这两个容差会导致 REFIN 电压本身出现+/-21mV 偏差。
VOSNS 的容差为+/-15mV、 REFOUT 对 VREFIN 的电压容差为+/-12mV、然后 VO 上的总容差为48mV。
这实际上违反了 JEDEC 标准"VTTREF–40mV < VTT < VTTREF + 40mV"。
同时最大 我的应用中 DDR3的建议直流工作 VTT 电压(IS46TR16640CL)为0.642V 至0.725V。 但计算的最大值。 VO 引脚上的电压为0.7423V、超过了最大值。 额定值。
请帮助尽快解决此问题。
谢谢
阿克希尔
您好、James：
感谢您的支持。
请参阅下面 IS46TR16640CL 的 VDDQ 建议直流工作条件。 VTT = VDDQ/2. 从这个我得到了最大值。 建议直流工作 VTT 电压 为0.725V。
此致、
阿克希尔
尊敬的 Akhil：
[quote userid="385341" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284771/tps51200-worst-case-tolerance-on-vo 我的应用中 DDR3的建议直流工作 VTT 电压(IS46TR16640CL)为0.642V 至0.725V[/报价]只是为了澄清一下、在最初的帖子中、根据上图、您提到了 DDR3、即 VDDQ = 1.5V、VTT = 0.75V (典型值)、但在您分享的图像中、您在计算中选择的是使用较低电压的 DDR3L 的电压规格。
如果您的应用使用 DDR3、我会建议使用 VDDQ 的1.5V 电压(0.75V VTT)。 这将与上面显示的 DDR3技术规范一致。 如果您实际上正在使用 DDR3L、那么您的目标应该是1.35V VDDQ (0.675V VTT)。
此致、
詹姆斯
您好、James：
实际上、我将 DDR3L 用于 DSP ADSP-21593。 根据 DSP 数据表、建议的 DDR3L 控制器电源电压如下：
这就是我使用1.39V 而不是1.35V 的原因。
此致、
阿克希尔
您好、James：
在我的电路中、最坏情况下的 VDDQ 电压范围如下：
最小值- 1.3674V、典型值- 1.3888V、 最大值- 1.4113V
因此 VDDQ 电压处于 DDR3L 和 DSP 的建议范围内。
考虑最大 VDDQ 电压1.4113V 和 两个分压器10K 电阻器、REFIN 处的总容差 为3%、则 REFIN 最大输入电压将为0.7153V (执行 Monte Carlo 分析)。 然后、加上 27mV 的总 VO 耐受值 、得到0.7423V、这个 值超过了最大值。 0.725V 的 VTT 额定值。
此致、
阿克希尔
