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[参考译文] LM25143-Q1:SW1/2的最大额定值

Guru**** 2518240 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25143-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1283102/lm25143-q1-max-rating-of-sw1-2

器件型号:LM25143-Q1

您好!

我的问题与 LM25143-Q1的 SW1/2的最大额定值有关。 目前它们的额定电压为-0.3V。

在 LOL1/2打开的情况下、这不是一个问题吗?

谢谢、此致、

迈克尔

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    Michael、您好!

    这实际上是直流电压规格。

    我们有一个 SW 上~20ns 的-5V 瞬态规格。

    我们预计 SW 在 LO 关闭时的死区时间内变为二极管电压、是的。

    -奥兰多

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    您好、Orlando:

    感谢您的回答。 这已经有点有用了。 我还有两个问题:

    是否可以如下图所示将串联电阻连接到 SW 引脚?这对二极管仿真模式有何影响?

    能否将一个串联电阻连接 到 LO2?如果需要、最大电阻是多少?

    谢谢、此致、

    迈克尔

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    Michael、

    SW 的串联电阻将与 BOOT 电阻或 HOL 电阻类似、它会缩短 SW 节点下降时间(EMI 更好但效率更低)。 它还会减慢启动电容器的充电速度。

    应该不会对二极管仿真产生太大影响。

    LO 的串联电阻是可以的、但并不真正有益。

    由于低侧 FET 寄生自导通的电势、不建议在 LOL 上形成电阻。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多

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    你好,奥尔兰达,

    您是否在 LO 上测试了电阻器? 最大允许电阻是多少?

    谢谢。

    迈克尔

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    Michael、您好!

    通常情况下、我们不使用 LO 栅极电阻进行测试。

    低电阻只会减慢低侧 FET 导通时间。

    这通常可以忽略不计、因为在 LO 导通之前、在死区时间内、针对体二极管导通、SW 为~-0.7V。

    因此、SW ON 从~-0.7V 转换到~0V、这并不显著。

    您可能可以使用为 RC 充电的5V 电源对上升时间进行建模、其中 R 是栅极电阻器、C 是选择的 MOSFET 的 CISS。

    -奥兰多