主题中讨论的其他器件: LM5149-Q1EVM-400
专为汽车使用而设计、采用 LM5148。 所需的12V 输出、最大电流为20A、额定电压为15A
- 我们能否并联使用陶瓷电容器来降低
- 要使用 LM5148、我们不需要将 AEF 设置为正确的?
- 我想使用评估板(LMS5149-Q1EVM-400)、是否会将元件更改为计算器建议的值、Work?
- 理想的所需交叉频率应该是多少? 此外、还按照计算器和软件库中所述执行外部补偿
- 我们是否需要1、2类或3类补偿?
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专为汽车使用而设计、采用 LM5148。 所需的12V 输出、最大电流为20A、额定电压为15A
Deepak、您好!
1.使用并联
2.对于 LM5148 AEF 引脚为 NC。 则可以直接移除 AEF 元件。
3.使用快速入门计算器作为一般设计指南是的。
4.目标交叉频率应为开关频率的1/10。 您需要有45度的相补角以防止振铃、通常我们建议设计60度的相补角。
5.您不需要不同的补偿类型。 您可以考虑用于测量电路板波特图的 FB 电阻器点。
LM5149-Q1EVM-400的额定电流为8A、而且会变得很热。 15A 将有显著的温升、尤其是当 I^2* R 损耗呈抛物线增加时。
您还可以考虑双相、如数据表中所述、每相8A 电流易于热管理。
希望这对您有所帮助。
-奥兰多
嗨、奥兰多、
感谢您的及时响应。
我们正在开发的最终产品处于竞争激烈的市场中、使用双相将大幅增加我们的成本。
我还需要弄清楚、以了解我们应该使用 PFM 还是 FPWM、以及 我们是否应该启用抖动。
要仅使用一个相位、您建议使用什么来尽可能减少功率损耗。
目前我正在考虑:
a) 250kHz 开关频率
b) 15m Ω RDS on
此外、您还建议使用哪些其他方法来管理热耗散。
谢谢
迪帕克
Deepak,
PFM 只有助于轻负载条件下的效率。
15m Ω RDSON 仍然显著较大。
15A ^ 2 * 15mΩ= 3.37W、注意 FET 的温升通常为40C/W、因此温度上升100C+。
您可以使用双 FET、而不是双相、其中有2个并联的高侧 FET 和2个并联的低侧 FET。
我仍然认为、即使是并联、您也需要更小的 RDSON。 例如10mΩ、以便5mΩ 有效。
此外、在理想情况下 FET 应该不匹配、就像 EVM 一样、我们在高侧使用更低的 QG FET、以减少开关损耗。
您还可以考虑外部热管理、如散热器。
希望这对您有所帮助。
-奥兰多
嗨、奥兰多、
根据您的意见、我们 继续并制作了原型。 然而、我们面临着以下问题:
请告诉我您认为可能是原因的原因。
我还要附上我使用的原理图。 所有组件计算均基于出现的计算器 Excel 来完成。
此外、在原始问题中还附加了 Excel 计算器。
e2e.ti.com/.../Schematic-LM5148.pdf
谢谢。此
致、 西达尔特
嗨、奥兰多、
很抱歉延迟了响应、我正在优化我的设计。
请查看随附的 PCB 布局。
此外、我还连接了 VSW (黄色)和 Vcc (蓝色)的示波器读数。 除了输出电流之外、我还提到了输入和输出电压。
我使用的频率是220kHz、并已完成补偿、将交叉频率保持为17khz。
我看到电压随着电流的增加而急剧下降。 负载为5A、输入电压为30V 后、输出电压非常不稳定、并且在0和9V 之间关闭。
Deepak,
许多因素的布局并非最佳。
请查看数据表的布局部分以及 EVM 设计。
对于这样的控制器、我会考虑使用4层 PCB、尤其是对于您的多 MOSFET 设计。
VCC 电容器和 VDDA 电容器应靠近各自的引脚和 GND。
VDDA 电容器到 AGND 应靠近引脚、AGND 可以直接连接到 DAP 下的 PGND、就像 PGND 引脚一样。
连接至 PGND 的 VCC 电容器也应靠近引脚放置。
对于承载高电流的过孔(如低侧 FET 过孔)或散热过孔(如 LM5148控制器下方)、不建议在 GND 过孔上进行散热。
FET 的方向和布线并不好。 SW 节点应该是 FET 和电感器之间的多边形、而不仅仅是引线。 此负载将承载全部电流输出电流和纹波电流。
请参考该 EVM 示例、还可能是具有多个 FET 的参考设计、例如以下示例:
https://www.ti.com/tool/PMP7165
https://www.ti.com/tool/PMP30600-AH
此外、Rsense 应刚好位于电感器和输出电容之间、因为它也会承载所有电流。
我可以在您发货进行制造之前查看您的布局。
-奥兰多
嗨、奥兰多、
感谢您的回复。 我按照您提到的方式进行了调整。 我已经向您发送了一封含有来自 sgoel1999@gmail.com 的新 PCB 文档的邮件。
请告诉我、新设计是否有效。
谢谢