[参考译文] BQ25798：快速充电时没有电流流入电池

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Other Parts Discussed in Thread: BQ25798, BQ25798EVM, TPS25221

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1285192/bq25798-no-current-flowing-to-the-battery-when-in-fast-charge

器件型号：BQ25798
主题中讨论的其他器件：、 TPS25221

尊敬的支持团队：

我面临一个我不理解的问题。我们有一个定制板、其 BQ25798通过 VAC1/ACDRV1和相关 FET 连接到12V 实验室电源上。我们有单节锂聚合物电池。 BQ25798似乎可以正确地鉴定电源( 在状态和/或控制寄存器中看不到任何奇怪的值)并进入快速充电模式、但没有电流流入电池。我们期望最大700mA (如 REG03中编程的)、但一旦充电器进入快速充电状态、它就会下降到0mA。

我已通过连接到实验室电源+反向二极管保护的12 Ω 电阻器将锂聚合物电池替换为"模拟"电池、并且能够仿真多种电池条件。

如我所见、当 BQ25798处于预充电状态时、有电流流入电池、但一旦仿真电池电压超过2.9/3.0V (VREG 的71.4%)、电流就会停止流动。 BQ25798正确识别并在电池电压过高时进入过压状态。

我无法在寄存器中看到任何可疑值。您能否在此提供提示以帮助我确定在快速充电时为什么没有电流流动？

我附加了一个.xls 文件、其中包含不同条件下的寄存器转储。

谢谢、此致、

马可.

e2e.ti.com/.../BQ25798_5F00_RegistersDump.xlsx

11 个月前

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 1555210 points

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尊敬的 Marco：

您的一个测量显示 V (SYS) 't="" being="" regulated="" register="" setting. ="" can="" you="" send="" your="" schematic="" and="" layout? ="" does="" this="" occur="" on="" multiple="" boards="" ics="" or="" only="" one? ="" if="" move="" ic="" bq25798evm,="" it="" work="" correctly?

此致、

杰夫

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 1555210 points

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感谢您的反馈。 BATFET 损坏可能是一个很好的解释：好像 IC 要求将 SYS 连接到 BAT、但没有发生任何情况。

不幸的是、我(今天和下周)没有其他电路板、因为它们昨天被派往进行小型现场测试。我记得我在装运前用不同的电路板测试了几节电池、但它们的行为是一样的。我敢肯定、几天前、我已经能够为电池充满电了。因此、至少有一个几天前就使用过的调试板。

我已经附上了原理图和布局。它是一个4层电路板。您可能会注意到、有一个外部 IC1 (TPS25221DRVR)可以使 SYS 电源轨与 BATT 短接。我们试图复制中建议的内容(我想您写了什么？) "如何快速安全地为超级电容器充电"图2-7、第6页的内容。据我所知、我们仅使用了 LiPo 、当前固件从未在 SC_CH_EN 行中开启... 但我们将上拉电阻留在主机上、因此当调试器/编程器处于级上时、我不能保证任何内容(！) 和/或 CPU 被复位。我的问题是：通过 TPS25221将 SYS 和 BAT 短路、当锂聚合物电池接通时、是否会损坏 BATFET？

我有两个新的、因此我可以用一个新的 IC 进行替换。如果需要、我还可以移除 TPS25221。很遗憾、我无法测试"坏了"的 IC、因为我没有 EV 板。

附带说明的是、所有原型都在-20°C 的温度下工作了几天、只有电池且没有电源。

谢谢、此致、

马可.

e2e.ti.com/.../0537.PowerSupply.PDF

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 1555210 points

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尊敬的 Marco：

原理图上的多个引脚(STAT1、STAT2)令我感到困惑。此外、我们稍后了解到 SDRV 电容器必须连接到 GND 而不是 BAT、或者来自 SDRV 电荷泵的开关噪声耦合在中、并造成电流检测放大器混淆。

在布局上、如果您不遵循数据表和 EVM 中建议的布局、则电流检测放大器存在同样的问题。具体而言、SWx 引脚必须在 IC 下方进行过孔处理、以便100nF PMID 和 SYS 去耦电容器可以放置在 IC 之上、并在没有过孔的情况下滤除 GND 引脚的开关噪声。

我认为以上两项是您的问题。

此致、

杰夫

0 admin 11 个月前

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尊敬的 Jeff：

感谢您的反馈。

是的、我知道多个引脚(STAT1和 STAT2等等)、这对我来说也很奇怪：我认为在库中制作一个诀窍、那就是将 IC 封装中找到的角度引脚复制到 CAD。

我将电路板移至返修站、将 SDRV 电容器旋转180度、以便将其连接到 GND 而不是 BAT。当我用放大摄像头在 IC 附近工作时、我注意到一个将 SYS 引脚短接到 SDRV 的超皮小障板！我在桌上的第二块板上发现了同样的东西。因此、这肯定是一个组装问题。拆下挡板后、IC 开始工作正常。因此 IC 能够"承受"这一短路。

我已经报告了工作条件下的寄存器转储、以供参考。

您告诉我、您注意到将 SDRV 电容器连接到 GND 可能有助于降低电流检测放大器的开关噪声。您确认了吗？如果是、我将在下一批产品中与建议的 SWx 引脚布局一起实施。

谢谢你,请报告我的祝贺所有工作人员在这个 IC 工作,因为我发现它非常好,和多才多艺。以合适的价格和电路板复杂性满足我的需求。我也会在未来的项目中推广。

此致、

马可.

e2e.ti.com/.../BQ25798_5F00_RegistersDump_5F00_Working.xlsx

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 1555210 points

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尊敬的 Marco：

SDRV 电容必须接地而不是 SYS 以防止噪声注入。此外、您还需要更改布局、以匹配最大输出电流的数据表建议。

此致、

杰夫

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