[参考译文] LM25145：LM25145 - MOSFET 功率损耗计算- WebBench 或 splr001a.zip

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284781/lm25145-lm25145---mosfet-power-loss-calculation---webbench-or-splr001a-zip

器件型号：LM25145
主题中讨论的其他器件：SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC、 CSD18531Q5A

尊敬的 TI 团队：

我正在尝试找到最适合我的设计的 MOSFET、因为目前启动期间存在温度问题。
我尝试了 WebBench 和工具"splr001a.zip"(SYNC-BUCK-FET-LOSS 计算器-计算器-修订版本2.xlsm)。

遗憾的是、我在 WebBench 或 splr001a.zip 中获得了与 MOSFET 功耗非常不同的结果。

您能告诉我在计算功率耗散时应该信任哪些工具吗？

非常感谢您的支持！

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1617045 points

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Bernd、

您看到的差异规模是多少？您正在使用什么 FET、您的设计规格是什么？

许多功率损耗很容易计算、但有一些使用数学方法进行建模很重要、例如 QRR 损耗、该损耗由低侧 QRR 决定、但由于减慢 SW 转换时间、会导致低侧 FET 和高侧 FET 上出现损耗。

这两种工具应该得出足够相似的结果、并且总效率只能下降几个百分点。

请告诉我、

-奥兰

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1617045 points

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奥兰多、

非常感谢您的快速支持！

我的设计参数包括：

欠压锁定导致的输入电压为15-31V (通常仅为16-31V)
输出电压12V @标称10A (由于 Rds-on 过流保护功能以及输入电压偏差、我们现在使用12A 进行计算)
工作温度范围0 -70°C

附件是我们需要优化的关于功率损耗的当前设计=>更低温度：使用的顶部+底部 MOSFET：TI CSD18531Q5A
电感：Vishay IHLP50FDER4R7M51数据表：IHLP5050FDER4R7M51

您是否发现在 Q5A 封装上组装 Q5B 封装以进行测试时存在问题？ (尤其是在热性能方面)

我们在两个工具中看到的偏差如下所示：
参数：
Top/M1/ControlFET： CSD18540Q5B

底部/M2/SyncFET： CSD18513Q5A

SYNC-BUCK-FET-LOSS 计算器修订版2.xlsm：

WEBENCH：

e2e.ti.com/.../8308.DMS_2D00_LS09_5F00_A101_5F00_Power_5F00_Board_5F00_EVT_5F00_Schematic_5F00_0.04_5F00_20230809_5F00_TI_5F00_Check.pdf

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1617045 points

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Bernd、

根据 MOSFET 温度、我怀疑其中一个工具可能是根据 FET 温度系数调整 RDSON、在较高的温度下、FET RDSON 会增加、这将增加传导损耗。

同步降压计算中提到了 RDS@Tj 的导通损耗、因此这就是 Excel 工具提供更高损耗的原因、尤其是在导通损耗更占主导地位的低侧 MOSFET 上。

希望这对您有所帮助。

-奥兰多

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