大家好、
我的客户正在使用我们的 LM25149-Q1EVM 并通过电子负载执行短路保护测试。
对于 ISNS+的延迟时间约为65ns、电流限制阈值为60mV、我们使用30V 作为输入、
计算结果为 IL 峰值14.86A。
如何确定 IO 峰值是否合理合适?
我们测量到输出电流峰值将增加到48A、峰值在短路发生后150ms 出现。
输出电容提供的功率是否会导致尖峰电流?
谢谢。
吉尔伯特.
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大家好、
我的客户正在使用我们的 LM25149-Q1EVM 并通过电子负载执行短路保护测试。
对于 ISNS+的延迟时间约为65ns、电流限制阈值为60mV、我们使用30V 作为输入、
计算结果为 IL 峰值14.86A。
如何确定 IO 峰值是否合理合适?
我们测量到输出电流峰值将增加到48A、峰值在短路发生后150ms 出现。
输出电容提供的功率是否会导致尖峰电流?
谢谢。
吉尔伯特.
尊敬的 Gilbert:
在此期间您能否检查 VOUT?
我怀疑 VOUT 已变为0V 甚至为负、当 LO 处于开启状态时、电感器电流应根据 VOUT / L 向下倾斜、但它会变平。
当 VOUT 低于-0.3V 时、电流限制将无法起作用。
VOUT 变为负通常是由于短路通过导线等造成的电感、降低短路中的电感可降低 VOUT 变为负值的风险。
希望这对您有所帮助。
-奥兰多
尊敬的 Chang:
是的、这是 MOSFET 需要担心的事情、但是脉冲的寿命很短、200-300us。
FET 产品说明书指明其支持60A 的连续电流和240A 的脉冲电流、但它并未具体说明脉冲计时。
您可以在 GND 到 VOUT 之间使用肖特基二极管来限制负 VOUT。
希望这对您有所帮助。
-奥兰多