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[参考译文] BQ40Z50-R1:采用单节电池设计的 bq40z50-R1

Guru**** 2568585 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50-R1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1282486/bq40z50-r1-bq40z50-r1-with-1cell-design

器件型号:BQ40Z50-R1

您好

我有疑问需要您的帮助。

bq40z50-R1是否可以在1个串联设计中使用 VGS = 4.5V 的 MOS?   

或者只能选择 VGS = 2.5V 或 VGS = 1.8V 的 MOS

正在等待您的回复。

谢谢

星形

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    您好!  

    我们已收到您的问题。 请预计  答案最多延迟2个工作日。

    此致、
    何塞·库索

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    您好、Star:

    BQ40z50-R1要求 FET 的 Vgs 至少为10V。 电荷泵将使栅极电压在 FET 源极上方10V 左右。 具有 Vgs 4.5的 FET 可能会损坏它。




    此致、
    何塞·库索