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器件型号：LMG3410-HB-EVM TI 是否有任何有关 GaN 器件的应用手册？
TI 有没有文章解释为什么 TI 的 GaN 器件不会发生氢中毒？
TI 是否有任何论文解释了为何轨道大气 H2或 H2会或不会通过环绕封装的密封件进入封装？
TI 是否在其 GaN 器件中使用了氢吸气器？ getter 会在轨道上工作多长时间?
对于 GaN 器件、哪些参数应该降额？降额多少？
