[参考译文] UCC27282：内置自举二极管

石渡喜

感谢您关于 UCC27282的问题。

为了获得自举二极管的最大电流、二极管平均电流应保持在80mA 以下。 此平均值可通过使用开关频率(FSW)和连接至 HO 引脚的高侧 FET 的总电荷 Qg (I = Qg * FSW)得出。 该器件没有自举二极管的内部串联电阻、但二极管的动态阻抗(约为1.5 Ω)有助于限制峰值正向电流、并在大多数应用中防止损坏。 在1MHz 使用了较小低侧最小脉冲宽度的高开关频率(FSW>FET)应用中、二极管正向和反向峰值电流非常高、因此我们建议使用外部肖特基自举二极管。

对于最大 HB 静态电流、该最大值和典型值将在除温度之外的相同测试条件下完成。 这可能是器件变化和对不同温度的响应造成的。

如果有任何其他问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

石渡喜

最大脉冲电流并未指定值、因为要考虑许多因素、例如压摆率、死区时间和脉冲持续时间。 但是、您可以使用自举电阻器控制启动期间可以流过的电流大小。 有关如何选择该电阻以及它如何影响电路的更多信息、请参阅 第3.4节中的针对半桥配置的自举电路选择应用手册。 您认为将此电阻器串联是正确的、但通常应在 VDD 引脚上将该电阻器串联。 该自举电阻器将在启动期间限制二极管上的峰值电流。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

您好、石渡山、

两个选项(VDD 上的电阻器和 HB 上的电阻器)均可行。 如果您跟踪导通环路、则可以看到该电阻器确实有一些后果。 VDD 上的电阻器与以下器件串联：

1. LO 导通环路(因此其作用类似于栅极电阻、并具有压降)
2. 自举二极管(因此它会根据您的需要限制该电流)

HB 上的电阻器具有相同的功能、仅用于 HO 导通、而不是 LO 导通。

另一种选择是在器件的 HS 和低侧 FET 的漏极之间放置一个电阻器。 该方法也有缺点：

1. 该电阻器上的压降会在高侧 FET
2. 它位于高侧的关断环路中。

抱歉答案很长、但所有这些选项都需要权衡。  

谢谢。

A·M·

您好、石渡山、

没错。 例如、HB 上有一个 UVLO 电路、如果压降足够大、则可能会触发该电路。  

谢谢。

A·M·